应用于802.11a的5.7GHz CMOS LNA设计  

5.7GHz CMOS LNA Design for 802.11a Application

作　　者：袁志勇[1] 景为平[2] 

机构地区：[1]上海大学微电子研究与开发中心,上海200072 [2]南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室,南通江苏226007

出　　处：《电子器件》2007年第2期365-369,共5页Chinese Journal of Electron Devices

基　　金：国家自然科学基金项目资助(90407009);江苏省高技术研究(工业部分)项目资助(BG2005022)

摘　　要：使用0.18μm CMOS工艺设计应用于802.11a WLAN的U-NII高频段5.7GHz的LNA.首先选取LNA结构,推导出噪声模型,然后选取在固定功率消耗下最小噪声系数对应的晶体管尺寸,再进行输入输出阻抗匹配和电路调整优化.在使用Bond Wire不加Pad时提供-22.014dB S11,-44.902dB S22,15.063dB S21,-39.44dB S12,2.453dB/2.592dB的噪声系数(NF),-4.1915dBm的三阶互调输入点(IIP3),-15.6dBm的功率1dB压缩点(P1dB)和10mW的功率消耗(Pd).完全考虑Bond Wire和Pad效应的性能参数也已经给出,但噪声系数恶化为3.21/3.23dB,S参数在电路调整优化之后变化不大,整体性能比较突出.A U-NII high band 5.7 GHz LNA for 802.11a WLAN application using a standard 0.18 μm CMOS process has been designed.The topology of LNA was chosen,noise was analyzed under given power dissipation to choose the optimum width of transistor to obtain the minimum noise figure.Simulation shows that in consideration of only Bond Wire effect,this LNA provides a performance of-22.01 dB S11,-44.90 dB S22,15.06 dB S21,-39.44 dB S12,-4.19 dBm IIP3,-15.6 dBm P1dB with only 2.45/2.59 dB noise figure(NF),while drawing 10 ...

关 键 词：CMOS射频集成电路 低噪声放大器 噪声分析 无线局域网 

分 类 号：TN925[电子电信—通信与信息系统]