SOI衬底和n^+衬底上SiGe HBT的研制  

The Fabrication of SiGe HBT on SOI and n^+-Si Substrate

作　　者：姚飞[1] 薛春来[1] 成步文[1] 王启明[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京100083

出　　处：《电子器件》2007年第5期1529-1531,共3页Chinese Journal of Electron Devices

基　　金：973课题资助(2006CB302802;2007CB613404);983课题资助(2006AA03Z415);国家自然科学基金资助(60676005;60336010)

摘　　要：分别在高掺杂的Si衬底和SOI衬底上用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)系统生长了SiGe/Si外延材料,并采用2μm的工艺制备出SiGe/SiHBT(Heterostructure Bipolar Transistor).使用晶体管图示仪测量晶体管的特性.性能测试表明,在SOI衬底上获得了直流增益β大于300的SiGeHBT,但SOI衬底上的SiGeHBT表现出较严重的自热效应.此外,使用Al电极制备的HBT具有大于0.3V的开启电压,而使用TiAu电极的HBT开启电压远小于该值.对不同衬底上研制的不同电极的SiGeHBT的直流特性进行了比较,并对产生不同特性的原因进行了分析.SiGe/Si epitaxy layers were grown on a n+-Si and a SOI substrate by the Ultra High Vacuum/Chemical Vapor Deposition(UHV/CVD) system respectively,and SiGe/Si HBTs(Heterostructure Bipolar Transistors)were fabricated with 2 μm process.The device performance was tested by transistor testing apparatus.The results showed that the SiGe HBTs on the SOI substrate with DC gain β higher than 300 were obtained,but devices on the SOI substrate shown higher self-heating effect than devices on n+ substrate.A higher turn-o...

关 键 词：Si基半导体器件 SIGE HBT SOI衬底 电极 特性曲线 直流增益β 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]