C波段pHEMT单片Gilbert混频器  

A C-band pHEMT Gilbert Mixer MMIC

作　　者：王维波[1] 张斌[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2007年第2期194-198,共5页Research & Progress of SSE

摘　　要：采用0.5μmpHEMT工艺研制了Gilbert式单片混频器,设计采用了电流注入技术及跨导级源端负反馈技术,在C波段测试表明:变频增益大于1.5dB,单边带噪声系数典型值为12.5dB,变频带宽约为DC～1GHz,所需本振功率实测值为1.6dBm。The Gilbert mixer employs current-injection technique and source negative feedback at the RF input stage.Finally measured conversion gain is 1.5 dB to 1.7 dB,with an typical SSB noise figure of 12.5 dB.IF band-width ranges from DC to 1 GHz.LO driver power is as low as 1.6 dBm.

关 键 词：微波单片集成电路 吉尔伯特 变频增益 单边带噪声系数 本振射频间隔离 

分 类 号：TN773[电子电信—电路与系统]