晶片键合技术及其在垂直腔型器件研制中的应用  

Wafer Bonding Technology and Its Applications in Vertical Cavity Devices

作　　者：周震[1] 黄永清[1] 任晓敏[1] 

机构地区：[1]北京邮电大学光通信中心,北京100876

出　　处：《半导体光电》2003年第4期217-221,共5页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家自然科学基金重点项目(90201035);国家自然科学基金重大研究计划项目 (90 1 0 40 0 3 )

摘　　要：　叙述了晶片键合技术的发展概况、基本原理和基本方法,分析了实现长波长垂直腔型器件的难点。最后介绍了晶片键合技术在长波长垂直腔型器件研制中的应用。The principle and approaches of wafer bonding technology is described, followed by discussion of the main limitations to realize longwave vertical cavity devices. The application of wafer bonding technology in longwave vertical cavity devices is given.

关 键 词：晶片键合 垂直腔型器件 分布布拉格反射镜 

分 类 号：TN314[电子电信—物理电子学]