高性能InP基谐振腔增强型长波长光探测器  

High Performance InP-based Long Wavelength Resonant Cavity Enhanced Photodetectors

作　　者：黄永清[1] 黄辉[1] 王琦[1] 王兴妍[1] 周震[1] 任晓敏[1] 

机构地区：[1]北京邮电大学光通信中心,北京100876

出　　处：《半导体光电》2003年第4期230-232,237,共4页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家"863"计划资助项目(2001AA312290);国家自然科学基金重大研究计划资助项目 (90 1 0 40 0 3 )

摘　　要：　介绍了目前实现高性能InP基谐振腔型(RCE)长波长光探测器的几种方案。采用InP 空气隙DBR结构、正入射光、响应波长为1550nm的高灵敏度、高速InP基长波长RCE光探测器,在1510nm波长处获得了59%的量子效率,在器件台面面积仍很大的情况下(50μm×50μm),获得了8GHz的3dB响应带宽。In this paper, a number ways to realize high performance InPbased long wavelength resonant cavity enhanced (RCE) photodetectors are introduced. A top incident high speed 1 550 nm RCE photodetector with InP/air gap DBR was demonstrated. The quantum efficiency of 59% at 1 510 nm and 3 dB bandwidth of 8 GHz have been obtained with the active area of 50 μm×50 μm.

关 键 词：谐振腔增强型 光探测器 空气隙 选择性湿法刻蚀 

分 类 号：TN929.1[电子电信—通信与信息系统]