基于巨磁阻抗效应的微磁传感器研制  

Development of a New Kind of Micro Magnetic Sensor Based on Giant Magneto-Impedance

作　　者：陈先中[1] 李芸芸 侯庆文[1] 孙光飞[2] 

机构地区：[1]北京科技大学信息工程学院,北京100083 [2]北京科技大学材料科学与工程学院,北京100083

出　　处：《传感技术学报》2007年第12期2575-2578,共4页Chinese Journal of Sensors and Actuators

基　　金：国防基础研究科研项目资助(A1420060203)

摘　　要：分析了巨磁阻抗敏感材料CoFeSiB非晶丝的特性,研制了磁传感器的硬件系统并对其进行了标定.试验表明:基于巨磁阻抗效应的新型微磁传感器具有灵敏度高、饱和磁场低、响应快和稳定性好等优点,具有较好的应用前景.The characteristic of CoFeSiB amorphous wires is analyzed.The hardware system based on the micro magnetic sensor is developed and the measured data is calibrated.It is demonstrated that the new micro magnetic sensor with GMI effects is more sensitive with low saturation magnetic field,quick response and high stability,and its attractive potential in the application.

关 键 词：巨磁阻抗效应 非晶丝 微磁传感器 

分 类 号：TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置] TM271.2[自动化与计算机技术—控制科学与工程]