一种新颖的低温硅片直接键合技术  

A Novel Method of Low Temperature Si-Si Directly Bonding

作　　者：徐晨[1] 霍文晓[1] 杨道虹[1] 赵慧[1] 赵林林[1] 沈光地[1] 

机构地区：[1]北京工业大学,北京市光电子技术实验室,北京,100022 北京工业大学,北京市光电子技术实验室,北京,100022 北京工业大学,北京市光电子技术实验室,北京,100022 北京工业大学,北京市光电子技术实验室,北京,100022 北京工业大学,北京市光电子技术实验室,北京,100022 北京工业大学,北京市光电子技术实验室,北京,100022

出　　处：《中国机械工程》2005年第z1期471-472,共2页China Mechanical Engineering

基　　金：北京市教委资助项目(KM200310005009)

摘　　要：提出一种使用CF4等离子体激活处理硅片表面来降低退火温度的低温硅片直接键合新方法.硅片用CF4等离子体激活处理,经过亲水处理预键合后,再在N2保护下进行40h 300℃的热处理,硅片的键合强度达到了体硅本身的强度.

关 键 词：微机电系统(MEMS) 低温硅片直接键合 等离子体 CF4 

分 类 号：TN365[电子电信—物理电子学]