基于pH-ISFET片上系统的研究  被引量:2

A pH-ISFET Based Micro Sensor System on Chip

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作  者:孙红光[1] 韩泾鸿[1] 魏金宝[1] 夏善红[1] 

机构地区:[1]中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京,100082 中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京,100082 中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京,100082 中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京,100082

出  处:《中国机械工程》2005年第z1期176-178,共3页China Mechanical Engineering

基  金:国家自然科学基金资助重点项目(90307014)

摘  要:采用标准CMOS工艺实现了基于pH-ISFET微传感器与读出电路的单芯片集成,该芯片包括差分结构ISFET/REFET传感器、金属准参比电极、恒流源和前级读出电路.芯片采用商用0.35μm,4-金属和2-多晶硅标准CMOS工艺流片,整个芯片面积2mm×2.5mm,工作电压3.3V.在标准CMOS工艺代工的基础上,设计并实现了合理的后续工艺流程.微传感系统获得53.65mV/pH的灵敏度和很好的线性度.由此说明,把ISFET微传感阵列与集成电路集成在单个芯片上构建智能型片上系统(SOC)是完全可能的,应用前景良好.

关 键 词:ISFET REFET SOC CMOS 

分 类 号:TN386.1[电子电信—物理电子学] TP212.3[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]

 

参考文献:

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