孙红光

作品数：8被引量：14H指数：2
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供职机构：中国科学院电子学研究所更多>>
发文主题：PH-ISFET聚吡咯MEMS片上系统ISFET更多>>
发文领域：自动化与计算机技术电子电信环境科学与工程理学更多>>
发文期刊：《中国机械工程》《新技术新工艺》《电子学报》《仪器仪表学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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新型的ISFET微传感器读出电路单芯片集成研究被引量：3
《电子学报》2007年第2期224-227,共4页魏金宝 杨海钢 韩泾鸿 孙红光 夏善红 
国家自然科学基金重点项目(No.90307014)
生化微传感集成系统是目前的研究焦点,本文以在线性区和饱和区两种模式下工作的pH-ISFET作为研究对象,提出ISFET微传感器与其信号读出电路的单芯片集成,并深入研究传感机理以及与标准CMOS兼容的敏感材料制备技术.整个芯片包含ISFET/REFE...
关键词：微传感器 读取电路 单芯片 集成系统 
基于MEMS技术的安培酶免疫传感器研究被引量：3
《电子与信息学报》2006年第11期2195-2198,共4页边超 许媛媛 孙红光 张虹 陈绍凤 夏善红 
国家自然科学基金(90307014)资助课题
该文采用MEMS工艺制备可集成安培酶免疫传感器,用于人免疫球蛋白IgG的检测。该传感器以硅作为基底,铂作为电极,工作电极敏感面积1mm2。SU-8胶形成的微反应池结构使该传感器试剂用量仅为μl量级。聚吡咯作为酶与电极之间的电子转移基体...
关键词：安培酶免疫传感器 MEMS 聚吡咯 IGG 
采用电聚合方法固定抗体的IgG检测微传感器被引量：2
《自然科学进展》2006年第3期380-384,共5页边超 许媛媛 孙红光 陈绍凤 夏善红 
国家自然科学基金资助项目(批准号:90307014)
采用微电子机械系统MEMS工艺制备微电极芯片,并利用电化学聚合方法将抗体(羊抗人 IgG)与吡咯共同聚合在工作电极敏感表面,用于人免疫球蛋白IgG的安培酶免疫检测．该传感器以硅作为基底,铂作为电极,工作电极敏感面积2 mm2．SU-8胶形成的...
关键词：MEMS 安培酶免疫传感器 电聚合 聚吡咯 IGG 
基于Ppy敏感膜的pH-ISFET研制
《仪器仪表学报》2006年第z2期1065-1066,共2页汪祖民 孙红光 韩泾鸿 边超 陈绍凤 夏善红 
国家自然科学基金(90307014)
研制了一种采用0．35μm标准CMOS工艺制造的,集成ISFET／REFET及其信号处理电路于一体的集成化芯片系统(SOC)。其中ISFET敏感膜为采用电化学法制备的导电聚合物Ppy(Polypyrrole,聚吡咯),通过对各种条件的优化,最终得到了pH响应为56mV／p...
关键词：离子敏场效应管 聚吡咯 敏感膜 集成化芯片系统 
基于双层电化学结构的微型安培免疫传感器被引量：1
《仪表技术与传感器》2006年第1期1-3,共3页边超 许媛媛 孙红光 陈绍凤 夏善红 
国家自然科学基金项目(90307014)
文中利用MEMS工艺在硅基底上制备铂微电极芯片,并采用双层电化学结构进行抗体的固定,用于人免疫球蛋白IgG的安培酶免疫检测.第一层为聚吡咯过渡层,第二层为抗体与聚邻苯二胺的共聚层.该传感器工作电压-0.3 V,检测下限5 ng/mL,线性范围5...
关键词：安培酶免疫传感器 电化学聚合 聚吡咯 聚邻苯二胺 IGG 
基于MEMS的生物微传感技术被引量：1
《传感器技术》2005年第2期5-7,10,共4页许媛媛 夏善红 边超 刘敬伟 孙红光 陈绍凤 
国家自然科学基金资助项目(90307014)
微电子机械系统(MEMS)技术为生物微传感器和生物芯片的研制以及实现小型化、便携式、低成本,高灵敏度的生化片上系统提供了有力的技术支持。综述了基于MEMS的生物微传感技术,介绍了生物微传感器和生物芯片的原理、结构、分类及应用,并...
关键词：微电子机械系统 生物微传感器 生物芯片 片上系统 
MEMS中的微组装技术被引量：2
《新技术新工艺》2005年第1期24-27,共4页孙红光 夏善红 张建刚 
国家自然科学基金项目(90207006)
随着微机电系统(MEMS)的迅速发展,对微组装技术的需求日益迫切。介绍了微器件组装技术的研究和发展概况,包括顺行和并行微组装技术,并对各种微组装技术进行了比较。对未来微组装技术的发展和应用前景进行了讨论。
关键词：组装技术 微机电系统(MEMS) 微器件 并行 需求 迅速发展 发展概况 未来 
基于pH-ISFET片上系统的研究被引量：2
《中国机械工程》2005年第z1期176-178,共3页孙红光 韩泾鸿 魏金宝 夏善红 
国家自然科学基金资助重点项目(90307014)
采用标准CMOS工艺实现了基于pH-ISFET微传感器与读出电路的单芯片集成,该芯片包括差分结构ISFET/REFET传感器、金属准参比电极、恒流源和前级读出电路.芯片采用商用0.35μm,4-金属和2-多晶硅标准CMOS工艺流片,整个芯片面积2mm×2.5mm,...
关键词：ISFET REFET SOC CMOS 
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