检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:章平[1] 黄致新[2] 张玉龙[1] 王辉[2] 张峰[2]
机构地区:[1]郧阳师范高等专科学校物理系,湖北丹江口442700 [2]华中师范大学物理系,湖北武汉430079
出 处:《咸宁学院学报》2006年第6期47-49,共3页Journal of Xianning University
摘 要:采用多靶射频磁控共溅射方法制备了SmCo/Cr薄膜,用XRD和VSM测量了各样品的微结构和矫顽力.结果表明,SmCo膜具有较强的垂直各向异性,当Cr底层溅射时间为5min、SmCo磁性层溅射时间为14min、Co靶溅射功率为220W时,所得到的薄膜垂直矫顽力最大.SmCo/Cr thin film had prepared by magnetron sputtering more target together.The microstructure and coercive force of the samples were measured by using XRD and VSM.The results showed that origin in SmCo/Cr thin film is perpendicular magnetic anisotropy.When the sputtering time of Cr underlayer is 5min,the sputtering time of SmCo magneticlayer is 14 min,and the sputtering power of Co target is 220W,the coercive force of the thin film get maximum.
分 类 号:TM273[一般工业技术—材料科学与工程] TB43[电气工程—电工理论与新技术]
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