干刻清洗工艺在金属刻蚀去胶腔上的评价及应用  

The Evaluation And Application Of Dry Clean Process On Ash Chamber Of Metal Etch

作　　者：王倩[1] 

机构地区：[1]上海华虹NEC电子有限公司

出　　处：《中国集成电路》2006年第10期43-46,共4页China lntegrated Circuit

摘　　要：本文以金属刻蚀去胶腔为背景,简述干刻清洗工艺开发和评价过程。针对实际应用中的问题,展开讨论。通过实际案例分析,展示了干刻清洗工艺的应用价值。Based on ash chamber of metal etch, this paper describes the full process of dry clean development and evaluation. And the related issue among process application is also discussed. Through the analysis of actual case, the worth of dry clean application is presented.

关 键 词：干刻清洗 DRY CLEAN 金属刻蚀 Metal ETCH 干刻 DRY ETCH 去胶腔 ASH CHAMBER 去胶速率:Ash Rate(AR) 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]