锰硅化物在Si(111)-7×7表面的制备及其STM研究  

Manganese Silicide Formation on Si(111) 7×7:A Scanning Tunneling Microscopy Study

作　　者：王丹 邹志强[2] 孙静静[1] 

机构地区：[1]上海交通大学微纳科学技术研究院,上海200030 [2]上海交通大学分析测试中心,上海200030

出　　处：《真空科学与技术学报》2008年第2期99-102,共4页Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

基　　金：上海市科委基础研究重点项目资助(No.07JC14026)

摘　　要：利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温至610℃的条件下锰在Si(111)-7×7表面的反应生长情况,制备出了锰纳米团簇和几种锰硅化物。实验结果表明:温度低于260℃时,生成了占据在衬底7×7结构亚单胞上大小统一的锰纳米团簇;温度高于500℃时,生成的锰硅化物可分为三类:纳米线、平板状的岛和三维不规则的岛。除此以外,390℃至610℃锰硅化物岛的成核密度符合传统成核理论。Reaction of manganese and Si(111) 7×7 reconstructed surface,held at an elevated temperature ranging from room temperature to 610 ℃,was studied with ultrahigh vacuum scanning tunneling microscopy(UV-STM).The results show that the reaction temperature strongly affects the stoichiometry and the surface morphology of the system.Below 260 ℃,the congruent-sized Mn nano-clusters dominate,sitting on one half of the surface unit cell of the Si(111) 7×7;whereas above 500 ℃,Mn silicides with three types of nanostructu...

关 键 词：扫描隧道显微镜 Si(111)-7×7重构表面 纳米团簇 锰硅化物 传统成核理论 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]