邹志强

作品数：9被引量：15H指数：3
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发文主题：扫描隧道显微镜硅化物STM纳米线锰更多>>
发文领域：理学电子电信一般工业技术建筑科学更多>>
发文期刊：《功能材料与器件学报》《物理化学学报》《物理学报》《真空科学与技术学报》更多>>
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超高真空中锗衬底上铁锗化合物纳米结构的外延生长被引量：1
《真空科学与技术学报》2017年第5期527-532,共6页施凯娟 邹志强 刘晓勇 
国家自然科学基金项目(61176017)
采用分子束外延法在250~700℃的Ge(111)衬底表面生长出铁的锗化物纳米结构,原位扫描隧道显微镜观察表明,在300℃以下,Ge(111)衬底上生长的铁锗化合物以三维岛的形式存在,高于此温度,Ge(111)衬底上将生长出短棒和纳米线形状的铁锗化合物...
关键词：扫描隧道显微镜 X射线光电子能谱 铁锗化合物 纳米线 三维岛 
Si衬底上生长的铁硅化合物结构和取向分析被引量：6
《物理化学学报》2014年第7期1370-1376,共7页李旭 邹志强 刘晓勇 李威 
国家自然科学基金(61176017);上海市教育委员会科研创新项目(12ZZ025)资助~~
采用分子束外延法分别在650-920℃的Si(110)和920℃的Si(111)衬底表面生长出铁的硅化物纳米结构,并主要分析了920℃高温下纳米结构的形貌、组成相及其与Si衬底的取向关系.扫描隧道显微镜(STM)研究表明,920℃高温下,Si(110)衬底上生长的...
关键词：扫描隧道显微镜 电子背散射衍射 铁的硅化物 纳米线 三维岛 结构 取向关系 
Si衬底上生长的MnSi薄膜和MnSi_(1.7)纳米线的STM和XPS分析被引量：3
《物理学报》2012年第22期395-401,共7页石高明 邹志强 孙立民 李玮聪 刘晓勇 
国家自然科学基金(批准号:61176017);上海市教育委员会科研创新项目(批准号:12ZZ025)资助的课题~~
本文采用分子束外延方法制备出MnSi薄膜和MnSi1.7纳米线,利用扫描隧道显微镜进行观察,采用X射线光电子能谱仪系统地分析了MnSi薄膜和MnSi1.7纳米线的Mn2p和Si2p.结果表明厚度为～0.9nm的MnSi薄膜表面为√3×√3重构,MnSi1.7纳米线长500...
关键词：X射线光电子能谱 扫描隧道显微镜 纳米线 薄膜 
锰的硅化物薄膜在Si(100)-2×1表面生长的STM研究
《物理学报》2012年第6期391-396,共6页李玮聪 邹志强 王丹 石高明 
国家自然科学基金(批准号:61176017);上海市教育委员会科研创新项目(批准号:12ZZ025)资助的课题~~
锰的硅化物在微电子器件、自旋电子学器件等领域具有良好的应用前景,了解锰的硅化物薄膜在硅表面的生长规律是其走向实际应用的关键步骤之一.本文采用分子束外延方法在Si(100)-2×1表面沉积了约4个原子层的锰薄膜,并利用超高真空扫描隧...
关键词：扫描隧道显微镜 锰的硅化物 固相反应 Ostwald熟化 
Si(111)-7×7表面上C_(60)多层膜的生长及其纳米摩擦学性质被引量：3
《物理化学学报》2011年第10期2457-2461,共5页杜晓清 李慧琴 朱齐荣 邹志强 梁齐 
国家自然科学基金(10974134)资助项目~~
在超高真空(UHV)条件下,用分子束外延(MBE)方法,通过对生长过程中蒸发速率和衬底温度等参数的控制,可以避免C_(60)分子在Si(111)-7×7重构表面多层生长时团聚岛的形成,得到了逐层生长的C_(60)多层膜.同时利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV...
关键词：富勒烯: 分子束外延: 薄膜生长: 纳米摩擦性质:扫描隧道显微镜 
锰的硅化物薄膜在Si(111)-7×7表面的固相反应生长被引量：2
《物理化学学报》2010年第5期1291-1295,共5页王丹 邹志强 孙静静 赵明海 
上海市科委基础研究重点项目(07JC14026)资助~~
利用超高真空扫描隧道显微镜(STM)对沉积在Si(111)-7×7重构表面上的锰薄膜在300-650℃之间的固相反应进行了研究.锰原子最初在Si(111)衬底上形成锰的纳米团簇的有序阵列,经过300℃退火后,锰纳米团簇的尺寸增大并且纳米团簇阵列由有序...
关键词：扫描隧道显微镜 Si(111)-7×7重构表面 固相反应 锰的硅化物 退火 
C_(60)分子在Si(111)-7×7表面分子束外延生长的STM研究
《物理学报》2010年第1期636-642,共7页赵明海 孙静静 王丹 邹志强 梁齐 
国家自然科学基金(批准号:10674095)资助的课题~~
在超高真空中采用分子束外延(molecular beam epitaxial)技术进行C60分子在硅(111)-7×7表面的生长,并利用扫描隧道显微镜进行原位研究.室温下,相对于无层错半胞(unfaulted half unit cell),C60更易于吸附在有层错半胞(faulted half uni...
关键词：C60分子 分子束外延 Si(111)-7×7 超高真空扫描隧道显微镜 
锰及其硅化物在Si(100)表面的反应外延生长
《功能材料与器件学报》2009年第6期564-568,共5页孙静静 邹志强 王丹 赵明海 陈礼 
上海市科委基础研究重点项目(No.07JC14026)
采用超高真空分子束外延-扫描隧道显微镜(UHVMBE-STM)系统研究了不同温度下锰及其硅化物在Si(100)-2×1重构表面上的外延生长情况。实验结果表明当生长过程中衬底温度控制在室温到135℃时,生成大小基本一致的锰纳米团簇;当衬底温度达到...
关键词：扫描隧道显微镜(STM) Si(100)-2×1重构表面 纳米线 棒状物 三维岛状硅化物 
锰硅化物在Si(111)-7×7表面的制备及其STM研究被引量：3
《真空科学与技术学报》2008年第2期99-102,共4页王丹 邹志强 孙静静 
上海市科委基础研究重点项目资助(No.07JC14026)
利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温至610℃的条件下锰在Si(111)-7×7表面的反应生长情况,制备出了锰纳米团簇和几种锰硅化物。实验结果表明:温度低于260℃时,生成了占据在衬底7×7结构亚单胞上大小统一的锰纳米团簇;温度高于500℃时...
关键词：扫描隧道显微镜 Si(111)-7×7重构表面 纳米团簇 锰硅化物 传统成核理论 
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