压电传感器材料的铁电特性研究  

Investigation of ferroelectric properties of piezoelectric sensor

作　　者：邵春玉[1] 王兢[1] 刘梦伟[2] 董维杰[1] 

机构地区：[1]大连理工大学电子与信息工程学院,大连116023 [2]辽宁省微纳米技术及系统重点实验室大连理工大学,大连116023

出　　处：《仪器仪表学报》2006年第z1期302-303,共2页Chinese Journal of Scientific Instrument

基　　金：国家自然科学基金(90207003)资助项目

摘　　要：本文采用溶胶-凝胶工艺制备了不同Mn离子掺杂浓度的PZT薄膜。研究了不同掺杂浓度对压电传感器薄膜铁电特性的影响。试验结果表明:当Mn离子含量较少时,Mn在PZT中主要表现施主掺杂特性,薄膜铁电性能提高;而当浓度增大时,薄膜性能降低。PZT films with 0~1.3mol% Mn dopant were fabricated using sol-gel method.The effect of manganese doping on ferroelectric properties of PZT(Zr/Ti=30/70) thin films was investigated.Mn ion is preferentially acted as donor when the concentration of Mn is small,which can improve the ferroelectric properties of PZT films.

关 键 词：压电材料 PZT 铁电性 MN 

分 类 号：TH7-55[机械工程—仪器科学与技术]