EM NMOST和AM PMOST组合TF SOI CMOS非门下降时间的温度模型  

A Model of the Temperature Dependence of the Fall Time of a TF SOI CMOS Inverter with EM NMOST and AM PMOST Assemblies at 27～300℃

作　　者：张海鹏[1] 魏同立[1] 冯耀兰[1] 汪沁[1] 张正璠[1] 

机构地区：[1]杭州电子科技大学电子信息学院,杭州,310018 东南大学微电子中心,南京,210096 东南大学微电子中心,南京,210096 浙江万里学院计算机科学与信息技术学院,宁波,315100 中国电子信息产业集团公司第24研究所,重庆,400060

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期36-39,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:69736020,60306003) Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos. 69736020,60306003)

摘　　要：详细介绍了EM NMOST和AM PMOST组合的TF SOI CMOS非门下降时间的温度电学模型建立过程.分别进行了27,100,150,250,250,300 ℃的非门瞬态特性实验.实验结果表明,EM NMOST和AM PMOST组合的TF SOI CMOS非门的下降时间随温度升高稍有增加,非常适合于高温应用.如果对其进行优化设计,有利于改善其上升-下降时间温度特性的对称性,提高其最高工作频率.

关 键 词：绝缘层上硅 CMOS 高温 模型 下降时间 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]