ZnO纳米棒的图形化生长及其场发射特性  

Patterned Growth and Field Emission Properties of ZnO Nanorods

作　　者：常中坤[1,2] 郁可[2] 张永胜[2] 李立君[1,2] 欧阳世翕 张清杰[3] 王青艳[2] 朱自强 

机构地区：[1]山东大学物理与微电子学院,济南250100 [2]华东师范大学信息科学技术学院电子系,上海200062 [3]武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉430070

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期84-86,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60476004)和武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室开放基金(批准号:WUT2004 Z01)资助项目

摘　　要：介绍了用氢离子注入技术和阳极腐蚀方法在硼掺杂p-(100)型硅晶片上制备图形化的纳米硅(SiNC)薄膜工艺,并在这种图形化衬底上成功生长了图形化的ZnO纳米棒.场发射测试表明制备的ZnO纳米棒具有良好的场发射性能,即具有较低的开启电场和阈值电场,较高的发射点密度.

关 键 词：ZNO纳米棒 图形化生长 场发射 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]