云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 常中坤

常中坤: 作品数：1被引量：1H指数：1; 导出分析报告; 供职机构：山东大学更多>>; 发文主题：场发射特性场发射ZNO纳米棒IP复用IP更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>; 所获基金：国家重点实验室开放基金更多>>

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ZnO纳米棒的图形化生长及其场发射特性被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2006年第z1期84-86,共3页常中坤郁可张永胜李立君欧阳世翕张清杰王青艳朱自强; 国家自然科学基金(批准号:60476004)和武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室开放基金(批准号:WUT2004 Z01)资助项目; 介绍了用氢离子注入技术和阳极腐蚀方法在硼掺杂p-(100)型硅晶片上制备图形化的纳米硅(SiNC)薄膜工艺,并在这种图形化衬底上成功生长了图形化的ZnO纳米棒.场发射测试表明制备的ZnO纳米棒具有良好的场发射性能,即具有较低的开启电场和阈...; 关键词：ZNO纳米棒图形化生长场发射