闭管扩散Zn对InP表面性质的影响  

Properties of Zn-Diffused InP Surfaces with Sealed Tube Method

作　　者：吕衍秋[1,2] 庄春泉[1,2] 黄杨程[1,2] 李萍[1,2] 龚海梅[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海200083 [2]中国科学院研究生院,北京100049

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期105-108,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:50632060)

摘　　要：利用闭管扩散方法以Zn3P2为扩散源,在不同扩散温度和扩散时间下对非故意掺杂InP(100)晶片进行扩散.用电化学C-V法(ECV)和二次离子质谱法(SIMS)分别测出了空穴浓度和Zn的浓度随深度的分布曲线.结果表明扩散后InP表面空穴和Zn的浓度在扩散结附近突然下降,InP表面空穴浓度主要取决于扩散温度,扩散深度随着扩散时间的增长而变大,InP表面Zn浓度一般比空穴浓度高一个数量级.另外对扩散后的样品进行光致发光(PL)测试,表明在保证表面载流子浓度的同时,适当降低扩散温度和增加扩散时间能减小对InP表面性质的影响.

关 键 词：闭管扩散 电化学C-V 二次离子质谱 光致发光 

分 类 号：TN21[电子电信—物理电子学]