庄春泉

作品数：9被引量：24H指数：2
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供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文主题：硫化光致发光线列INPHGCDTE更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《功能材料》《红外与毫米波学报》《半导体技术》《激光与红外》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
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表面二次阳极氧化对HgCdTe光导器件性能的影响被引量：2
《半导体光电》2007年第1期72-75,共4页汤英文 朱龙源 游达 许金通 刘诗嘉 庄春泉 李向阳 龚海梅 
采用微波光电导衰退法(μ-PCD)测试了二次阳极氧化膜和传统氧化膜钝化的中波n型HgCdTe芯片的少子寿命。利用俄歇电子能谱(AES)研究了传统方法与新方法生成的氧化膜的组分变化。结果表明二次阳极氧化能显著提高少数载流子寿命,采用此工...
关键词：HGCDTE 阳极氧化 微波光电导衰退法 俄歇电子能谱 光导型探测器 
128×1线列InGaAs短波红外焦平面的研究被引量：14
《红外与毫米波学报》2006年第5期333-337,共5页吕衍秋 徐运华 韩冰 孔令才 亢勇 庄春泉 吴小利 张永刚 龚海梅 
国家自然科学基金重点资助项目(50632060);国防预研项目
报道了用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合制作台面、硫化和聚酰亚胺钝化、电极生长等工艺,制备了128×1台面正照射InGaAs探测器阵列.测试了器件的变温I-V...
关键词：探测器 焦平面 INGAAS 钝化 
微波反射光电导衰减法测量InGaAs吸收层的均匀性被引量：1
《半导体光电》2006年第5期551-555,共5页吕衍秋 王妮丽 庄春泉 韩冰 李向阳 龚海梅 
国家自然科学基金重点资助项目(50632060)
外延材料的均匀性对制备大型线列和二维面阵焦平面阵列(FPA)探测器非常重要。用微波反射光电导衰减法(-μPCD)分别在300 K和85 K温度下测量了用分子束外延技术生长的p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中掺杂InGaAs吸收层的载流子寿命分布图...
关键词：均匀性 INGAAS 载流子寿命 焦平面阵列 μ-PCD技术 
闭管扩散Zn对InP表面性质的影响
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期105-108,共4页吕衍秋 庄春泉 黄杨程 李萍 龚海梅 
国家自然科学基金资助项目(批准号:50632060)
利用闭管扩散方法以Zn3P2为扩散源,在不同扩散温度和扩散时间下对非故意掺杂InP(100)晶片进行扩散.用电化学C-V法(ECV)和二次离子质谱法(SIMS)分别测出了空穴浓度和Zn的浓度随深度的分布曲线.结果表明扩散后InP表面空穴和Zn的浓度在扩...
关键词：闭管扩散 电化学C-V 二次离子质谱 光致发光 
碲镉汞表面硫化的光电子能谱及器件性能研究被引量：2
《激光与红外》2005年第11期835-836,848,共3页汤英文 庄春泉 许金通 游达 李向阳 龚海梅 
利用X射线光电子谱(XPS)对HgCdTe表面的硫化特性进行了研究,发现溴腐蚀后的表面硫化处理可以去掉表面的氧化层,Te富集的程度大大减少,硫化处理后再长硫化锌对器件进行钝化,可以大大减少器件的表面漏电,增加器件工作电压和提高器件性能。
关键词：光电子谱 HGCDTE 表面硫化 电学性质 
退火对硫化后的P^+型InP表面性能的影响被引量：1
《激光与红外》2005年第11期894-896,共3页庄春泉 汤英文 龚海梅 
文章采用光致发光(PL)测试和X射线光电能谱(XPS)测试相结合的方法,对硫化前后P+型InP的PL光谱以及表面化学成分进行了分析,得到了退火对硫化过的InP表面性能的影响结果;同时得到了S在InP表面所成键的结构以及稳定性随温度的变化的情况。
关键词：光致发光 X射线光电子能谱 硫化 
Au/Zn/Au/p-InP欧姆接触的界面研究被引量：1
《半导体技术》2005年第10期11-14,共4页李萍 刘诗嘉 陈江峰 庄春泉 黄杨程 张燕 龚海梅 
研究了离子束溅射制备的Au/Zn/Au/p-InP欧姆接触的界面特性。在480℃退火15s比接触电阻达到最小,为1.4×10-5Ω·cm2。利用俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)研究了接触界面的冶金性质。实验结果表明,在室温下InP中的In就可以扩...
关键词：俄歇电子能谱 X射线光电子能谱 欧姆接触 界面 
(NH_4)_2S硫化后ZnS/InP界面的电学特性被引量：2
《Journal of Semiconductors》2005年第10期1945-1948,共4页庄春泉 汤英文 黄杨程 吕衍秋 龚海梅 
在(NH4)2S硫化后的n-型InP衬底上热蒸发ZnS薄膜制得Au/ZnS/InP(100)MIS器件,测得了其IV特性曲线以及3MHz下的高频CV曲线和100Hz下的准静态CV曲线.从这些曲线得到如下结果:正向饱和电流为7×10-13A;ZnS钝化下经硫化的n-型InP表面的固定...
关键词：INP ZNS 硫化 MIS二极管 
InGaAs红外探测器低频噪声研究被引量：1
《功能材料》2004年第z1期3397-3399,共3页黄杨程 梁晋穗 张永刚 刘大福 庄春泉 李萍 龚海梅 
红外探测器的低频噪声是制约器件能否应用于空间遥感的关键因素之一.本文测试了典型的铟镓砷(InGaAs)红外探测器的低频噪声,测试结果表明器件的Hooge系数αH=2×10-5～7×10-5,噪声拐点较大.讨论了暗电流与器件低频噪声的关系,比较了不...
关键词：红外探测器 低频噪声 空间遥感 
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