徐运华

作品数：8被引量：31H指数：3
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供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文主题：读出电路GAN焦平面时间延迟积分紫外焦平面更多>>
发文领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《红外与毫米波学报》《半导体光电》《红外与激光工程》《物理学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
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128×1线列InGaAs短波红外焦平面的研究被引量：14
《红外与毫米波学报》2006年第5期333-337,共5页吕衍秋 徐运华 韩冰 孔令才 亢勇 庄春泉 吴小利 张永刚 龚海梅 
国家自然科学基金重点资助项目(50632060);国防预研项目
报道了用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合制作台面、硫化和聚酰亚胺钝化、电极生长等工艺,制备了128×1台面正照射InGaAs探测器阵列.测试了器件的变温I-V...
关键词：探测器 焦平面 INGAAS 钝化 
p-GaN/Al_(0.35)Ga_(0.65)N/GaN应变量子阱肖特基紫外探测器被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第10期1861-1865,共5页游达 许金通 汤英文 何政 徐运华 龚海梅 
报道了p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱结构的肖特基紫外探测器的制备及性能.器件的测试结果表明,在p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN双异质结中强烈的压电极化和Stark效应共同作用下使得器件在正偏和反偏时的响应光谱都向短波方向移动了10nm...
关键词：ALGAN 二维空穴气 肖特基 极化效应 
可见光对GaN基紫外焦平面读出电路的影响被引量：4
《半导体光电》2006年第4期402-405,共4页贾寒昕 徐运华 亢勇 李向阳 
GaN材料对可见光是透明的,而Si材料可以吸收可见光。在面阵GaN基紫外焦平面中,GaN探测器与Si读出电路通过铟柱倒焊互连,可见光可穿过GaN材料而被Si材料吸收。研究了可见光对于GaN基紫外焦平面读出电路影响的机制,并提出了通过在电路中...
关键词：焦平面 读出电路 紫外 可见光 GAN 
p型GaN/Al_(0·35)Ga_(0·65)N/GaN应变量子阱中二维空穴气的研究被引量：3
《物理学报》2006年第12期6600-6605,共6页游达 许金通 汤英文 何政 徐运华 龚海梅 
对Ga面p型GaN/Al0·35Ga0·65N/GaN应变异质结构中形成的二维空穴气(2DHG)进行了研究.首先基于半导体-绝缘体-半导体异质结构模型确定了应变异质中的临界厚度,然后自洽求解薛定谔方程和泊松方程,计算了当中间势垒层AlGaN处于完全应变状...
关键词：ALGAN 二维空穴气 极化效应 
焦平面输入电路研究被引量：6
《红外与激光工程》2006年第5期555-558,共4页徐运华 张松 谢文青 亢勇 方家熊 
在混合式焦平面阵列中,探测器和读出电路的耦合通过输入级电路实现。为分析输入电路对探测器-放大器系统性能的影响,用分立元件设计制作了一个三级的前置放大器并进行了模拟实验,实验表明放大器输入级噪声是造成探测器信噪比下降的主要...
关键词：焦平面 输入电路 直接注入 电容反馈放大电路 
GaN紫外焦平面注入效率研究被引量：1
《半导体光电》2005年第B03期60-63,66,共5页徐运华 张松 谢文青 亢勇 李雪 方家熊 
对CTIA和DI注入结构的GaNpin型紫外焦平面的注入效率进行了实验和数学仿真研究。测试和分析了等效串联电阻、接触电阻和读出电路输入阻抗等因素在不同条件下对注入效率的影响及其相互关系。
关键词：GAN 焦平面 注入效率 
一种基于开关门阵列结构的9级TDI读出电路
《半导体光电》2005年第B03期30-33,共4页张松 徐运华 谢文青 方家熊 
介绍了一种采用开关门阵列结构实现的9级TDI功能的读出电路。片中包含了脉冲发生电路。测试结果表明，该电路能够实现9级积分功能，电荷处理能力为11．9pC，电压输出摆幅为3．1V，最小可积分电流为0．1nA。
关键词：焦平面阵列 读出电路 时间延迟积分 
9级时间延迟积分CMoS读出电路被引量：2
《半导体光电》2005年第B03期40-44,共5页谢文青 徐运华 张松 方家熊 
报道一种能够实现时间延迟积分(TDI)功能的单元CMOS读出电路．具有戽链器件(BBD)结构，其输入级为电容反馈互阻抗放大器(CTIA)。介绍了读出电路的设计．并对该电路进行了功能仿真和流片验证。该芯片采用0．6μm双层多晶硅双层金属CMOS...
关键词：读出电路 TDI CMOS BBD CTIA 
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