9级时间延迟积分CMoS读出电路  

作　　者：谢文青[1] 徐运华[1] 张松[1] 方家熊[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室，上海200083

出　　处：《半导体光电》2005年第B03期40-44,共5页Semiconductor Optoelectronics

摘　　要：报道一种能够实现时间延迟积分(TDI)功能的单元CMOS读出电路．具有戽链器件(BBD)结构，其输入级为电容反馈互阻抗放大器(CTIA)。介绍了读出电路的设计．并对该电路进行了功能仿真和流片验证。该芯片采用0．6μm双层多晶硅双层金属CMOS工艺。测试结果表明，在常温下，本电路能够实现9级TDI功能，电荷处理能力为2．5pC，工作电压5V。最后讨论了电路存在的一些问题以及下一步努力的方向。

关 键 词：读出电路 TDI CMOS BBD CTIA 

分 类 号：TN386.5[电子电信—物理电子学]