何政

作品数:7被引量:9H指数:2
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供职机构:中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文主题:紫外探测器氮化镓GAN反射镜谐振腔结构更多>>
发文领域:电子电信理学更多>>
发文期刊:《半导体光电》《电光系统》《红外》《激光与红外》更多>>
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器件结构对Al0.3Ga0.7N Schottky探测器性能的影响
《半导体光电》2008年第1期23-25,共3页陈江峰 杨莉 何政 
在利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长的Al0.3Ga0.7N材料上制备了平面和台面结构的肖特基探测器。I-V和光谱响应测试结果表明:台面结构器件的反向漏电流大于平面结构器件的反向漏电流,它们的势垒高度分别为0.71 eV和0.90 eV,理想...
关键词:器件结构 肖特基探测器 铝镓氮 
器件结构对Al0.3Ga0.7N Schottky探测器性能的影响
《电光系统》2007年第3期62-64,共3页陈江峰 杨莉 何政 
在利用金属有机化学气相(MOCVD)方法生长的Al0.3Ga0.7N材料上制备了平面和台面结构的肖特基探测器。Ⅰ—Ⅴ和光谱响应测试结果表明:台面结构器件的反向漏电流大于平面结构器件的反向漏电流,它们的势垒高度分别为0.71eV和0.90eV...
关键词:器件结构 肖特基探测器 铝镓氮 
p-GaN/Al_(0.35)Ga_(0.65)N/GaN应变量子阱肖特基紫外探测器被引量:1
《Journal of Semiconductors》2006年第10期1861-1865,共5页游达 许金通 汤英文 何政 徐运华 龚海梅 
报道了p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱结构的肖特基紫外探测器的制备及性能.器件的测试结果表明,在p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN双异质结中强烈的压电极化和Stark效应共同作用下使得器件在正偏和反偏时的响应光谱都向短波方向移动了10nm...
关键词:ALGAN 二维空穴气 肖特基 极化效应 
SiO_2钝化膜对i-GaN肖特基探测器性能的影响被引量:1
《半导体光电》2006年第4期406-408,共3页何政 李雪 亢勇 方家熊 
在采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的非故意掺杂的i-GaN材料上制备了平面结构肖特基探测器;利用磁控溅射在探测器的两个电极隔离区域生长SiO2钝化膜;并对这些器件的性能进行了表征。通过与没有SiO2钝化膜的肖特基探测器性能比...
关键词:SiO2钝化膜 i-GaN 肖特基探测器 
p型GaN/Al_(0·35)Ga_(0·65)N/GaN应变量子阱中二维空穴气的研究被引量:3
《物理学报》2006年第12期6600-6605,共6页游达 许金通 汤英文 何政 徐运华 龚海梅 
对Ga面p型GaN/Al0·35Ga0·65N/GaN应变异质结构中形成的二维空穴气(2DHG)进行了研究.首先基于半导体-绝缘体-半导体异质结构模型确定了应变异质中的临界厚度,然后自洽求解薛定谔方程和泊松方程,计算了当中间势垒层AlGaN处于完全应变状...
关键词:ALGAN 二维空穴气 极化效应 
GaN基RCE紫外探测器
《红外》2005年第8期37-42,共6页何政 
本文分析了RCE探测器性能增强的基本原理;推导了布拉格反射镜的反射机理及其反射传输矩阵模型;介绍了M-S-M RCE紫外光电探测器的结构及其相关性能;指出了GaN基RCE紫外探测器目前所面临的问题以及可能解决的方案。
关键词:GAN RCE 紫外探测器 反射机理 矩阵模型 
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