陈江峰

作品数：3被引量：1H指数：1
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器件结构对Al0．3Ga0．7N Schottky探测器性能的影响
《半导体光电》2008年第1期23-25,共3页陈江峰 杨莉 何政 
在利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长的Al0.3Ga0.7N材料上制备了平面和台面结构的肖特基探测器。I-V和光谱响应测试结果表明:台面结构器件的反向漏电流大于平面结构器件的反向漏电流,它们的势垒高度分别为0.71 eV和0.90 eV,理想...
关键词：器件结构 肖特基探测器 铝镓氮 
器件结构对Al0．3Ga0．7N Schottky探测器性能的影响
《电光系统》2007年第3期62-64,共3页陈江峰 杨莉 何政 
在利用金属有机化学气相（MOCVD）方法生长的Al0．3Ga0．7N材料上制备了平面和台面结构的肖特基探测器。Ⅰ—Ⅴ和光谱响应测试结果表明：台面结构器件的反向漏电流大于平面结构器件的反向漏电流，它们的势垒高度分别为0．71eV和0．90eV...
关键词：器件结构 肖特基探测器 铝镓氮 
GaN p-i-n紫外探测器的研制被引量：1
《半导体光电》2005年第6期491-493,498,共4页陈江峰 李雪 
研制了一种GaN p-i-n型单元器件,详细地讨论了该器件的制备工艺,并对该器件进行了光电性能测试.测试结果表明,器件的正向开启电压在2 V左右,零偏动态电阻R0约为1010～1011 Ω,最大峰值响应率在365 nm处为0.18～0.21 A/W,器件的上升响应...
关键词：紫外探测器 氮化镓 刻蚀 
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