器件结构对Al0．3Ga0．7N Schottky探测器性能的影响  

作　　者：陈江峰[1] 杨莉[1] 何政[1] 

机构地区：[1]上海交通大学微电子学院,中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室,上海200083

出　　处：《电光系统》2007年第3期62-64,共3页Electronic and Electro-optical Systems

摘　　要：在利用金属有机化学气相（MOCVD）方法生长的Al0．3Ga0．7N材料上制备了平面和台面结构的肖特基探测器。Ⅰ—Ⅴ和光谱响应测试结果表明：台面结构器件的反向漏电流大于平面结构器件的反向漏电流，它们的势垒高度分别为0．71eV和0．90eV，理想因子分别为1．12和1．02；峰值响应率分别为0．07A／W和0．005A／W，台面结构器件的响应光谱曲线在响应波段比较平坦，而平面结构器件的光谱响应是一条随着波长的减小而减低的曲线。产生这些现象可能主要是由于台面结构的欧姆接触电阻及串联电阻相对较小和离子束刻蚀对台面结构所带来的损伤所致。

关 键 词：器件结构 肖特基探测器 铝镓氮 

分 类 号：TN383.1[电子电信—物理电子学]