退火对硫化后的P^+型InP表面性能的影响  

The Influence of Thermal Annealing on the Performance of (NH_4)_2S Passivated InP Surface

作　　者：庄春泉[1] 汤英文[1] 龚海梅[1] 

机构地区：[1]中科院上海技术物理研究所红外传感技术国家重点实验室,上海200083

出　　处：《激光与红外》2005年第11期894-896,共3页Laser & Infrared

摘　　要：文章采用光致发光(PL)测试和X射线光电能谱(XPS)测试相结合的方法,对硫化前后P+型InP的PL光谱以及表面化学成分进行了分析,得到了退火对硫化过的InP表面性能的影响结果;同时得到了S在InP表面所成键的结构以及稳定性随温度的变化的情况。（ NH4 ）2 S was used to passivate P ^＋ -type InP, and thermal annealing at different temperature was followed. In order to appraise the effects of the surface electronic properties, Photoluminescence was used to achieve the photoluminescence（PL） intensity of sulfided samples thermally annealed at different temperature. In order to understand the sulfur passivation mechanism, X-ray photoelectron spectroscopy（XPS） was used to investigate chemical binding states of the samples.

关 键 词：光致发光 X射线光电子能谱 硫化 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] O472.1[理学—半导体物理]