InGaAs红外探测器低频噪声研究  

Study on low frequency noise of InGaAs infrared detectors

作　　者：黄杨程[1] 梁晋穗[1] 张永刚[1] 刘大福[1] 庄春泉[1] 李萍[1] 龚海梅[1] 

机构地区：[1]传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海200083

出　　处：《功能材料》2004年第z1期3397-3399,共3页Journal of Functional Materials

摘　　要：红外探测器的低频噪声是制约器件能否应用于空间遥感的关键因素之一.本文测试了典型的铟镓砷(InGaAs)红外探测器的低频噪声,测试结果表明器件的Hooge系数αH=2×10-5～7×10-5,噪声拐点较大.讨论了暗电流与器件低频噪声的关系,比较了不同钝化工艺研制的器件的低频噪声,结果表明通过加强表面钝化工艺可有效地降低器件的低频噪声.

关 键 词：红外探测器 低频噪声 空间遥感 

分 类 号：TN21.06[电子电信—物理电子学]