溅射法制备a-GaN薄膜的光学性质  

Optical Properties of a-GaN Deposited by Sputtering

作　　者：贾璐[1] 谢二庆[1] 潘孝军[1] 张振兴[1] 

机构地区：[1]兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期109-112,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：利用直流磁控溅射方法制备了非晶氮化镓(a-GaN)薄膜.X射线衍射分析以及傅里叶变换红外吸收谱表明薄膜是非晶结构.通过紫外-可见光谱测量得到,样品随着衬底温度的升高而变厚,光学带隙随着衬底温度的升高而变小,Ar对薄膜的光学带隙和表面粗糙程度有很大的影响.

关 键 词：直流溅射 a-GaN薄膜 光学带隙 吸收系数 

分 类 号：O472[理学—半导体物理]