高灵敏高线性度区熔硅光晶体管的研究  

High Linearity Float-Zone Silicon Phototransistors with High Sensitivity and Stability

作　　者：韩德俊[1] 孙彩明[1] 盛丽艳[1] 张秀荣[1] 张海君[1] 闫凤章[1] 杨茹[1] 张录[1] 宁宝俊[1] 

机构地区：[1]北京师范大学低能核物理研究所,北京,100875 北京师范大学低能核物理研究所,北京,100875 北京师范大学低能核物理研究所,北京,100875 北京师范大学低能核物理研究所,北京,100875 北京师范大学低能核物理研究所,北京,100875 北京师范大学低能核物理研究所,北京,100875 北京师范大学低能核物理研究所,北京,100875 北京大学微电子学研究所,北京,100871 北京大学微电子学研究所,北京,100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期223-226,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：北京市凝聚态物理重点学科及国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA313120)资助项目

摘　　要：报道了一种基于高纯区熔单晶硅和发射结-集电结接近穿通状态的光晶体管的实验结果.在穿通电压附近(40V),0.83μm波长的光入射及0.15nW入射光功率条件下,器件的响应度为38A/W;工作在发射结-集电结接近穿通状态时线性度最好,在0.15～1500 nW光功率(4个数量级)范围内,线性因子为0.9954,接近于Hamamatsu S1227-1010BQ光电二极管在同一光功率区间内的线性因子(0.9982).另外,这种光晶体管的增益在130左右且增益的起伏在1%以内时,偏压的变化允许在2.5%以内(40V±1V),温度的变化可允许±2℃.其增益对偏压及温度的稳定性优于线性模式下具有相近增益的雪崩光电二极管.

关 键 词：光晶体管 区熔硅 灵敏度 线性度 

分 类 号：TN312+.4[电子电信—物理电子学]