孙彩明

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供职机构：北京师范大学低能核物理研究所更多>>
发文主题：硅光晶体管线性度区熔TCAD更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
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高灵敏高线性度区熔硅光晶体管的研究
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期223-226,共4页韩德俊 孙彩明 盛丽艳 张秀荣 张海君 闫凤章 杨茹 张录 宁宝俊 
北京市凝聚态物理重点学科及国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA313120)资助项目
报道了一种基于高纯区熔单晶硅和发射结-集电结接近穿通状态的光晶体管的实验结果.在穿通电压附近(40V),0.83μm波长的光入射及0.15nW入射光功率条件下,器件的响应度为38A/W;工作在发射结-集电结接近穿通状态时线性度最好,在0.15～1500...
关键词：光晶体管 区熔硅 灵敏度 线性度 
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