改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理  

Mechanism in SiGe-on-Insulator Fabricated by Modified Ge-Condensation Technique

作　　者：张苗[1] 狄增峰[1] 刘卫丽[1] 骆苏华[1] 宋志棠[1] 朱剑豪[2] 林成鲁[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所,半导体功能薄膜工程技术研究中心,信息功能材料国家重点实验室,上海200050 [2]香港城市大学,中国香港

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期252-256,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：对Ge浓缩技术进行改进,通过对Si/SiGe/Si三明治结构氧化退火,成功制备了Ge含量高达18%的SGOI材料.实验结果表明:顶层的Si可以有效抑制SiGe层氧化初期Ge元素的损失,退火过程有助于Ge元素在SiGe层中的均匀分布,同时也减轻了Ge元素在氧化层下的聚集.在高温条件(1150℃)下制备的SGOI材料应力完全释放,几乎没有引入位错.

关 键 词：SiGe-on-insulator 氧化 扩散 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]