AlGaInP大功率半导体激光器的漏电分析  

Leakage Current Analysis of High Power AlGaInP Lasers

作　　者：徐云[1] 李玉璋[1,2] 宋国峰[1] 甘巧强[1] 杨国华[1] 曹玉莲[1] 曹青[1,2] 郭良 陈良惠[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京100083 [2]惠州市中科光电有限公司,惠州516023

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期299-303,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：对于GaInP/AlGaInP量子阱激光器,在大电流注入或高温工作时有源区中注入的电子会越过势垒进入p型限制层成为漏电流,严重影响器件的正常工作.本文通过测试AlGaInP大功率压应变量子阱激光器的阈值电流和外微分量子效率随温度的变化,拟合出有源区电子的有效势垒高度,并与理论模拟结果进行了比较,讨论了p型限制层掺杂浓度的分布对势垒高度的影响.

关 键 词：半导体激光器 AlGaInP可见光激光器 应变量子阱 

分 类 号：TN365[电子电信—物理电子学]