李玉璋

作品数：16被引量：28H指数：3
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：高亮度发光二极管ALGAINP半导体激光器白光更多>>
发文领域：电子电信机械工程电气工程理学更多>>
发文期刊：《液晶与显示》《高科技与产业化》《半导体技术》《光子学报》更多>>
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AlGaInP大功率半导体激光器的漏电分析
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期299-303,共5页徐云 李玉璋 宋国峰 甘巧强 杨国华 曹玉莲 曹青 郭良 陈良惠 
对于GaInP/AlGaInP量子阱激光器,在大电流注入或高温工作时有源区中注入的电子会越过势垒进入p型限制层成为漏电流,严重影响器件的正常工作.本文通过测试AlGaInP大功率压应变量子阱激光器的阈值电流和外微分量子效率随温度的变化,拟合...
关键词：半导体激光器 AlGaInP可见光激光器 应变量子阱 
大功率GaInP/AlGaInP半导体激光器被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第11期2213-2217,共5页徐云 郭良 曹青 宋国峰 甘巧强 杨国华 李玉璋 陈良惠 
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2002AA313050)~~
制备了大功率实折射率GaInP/AlGaInP压应变分别限制量子阱激光器.所用外延材料在15°偏角的GaAs衬底上由有机金属气相外延一次外延生长得到.制备的激光器具有双沟脊波导结构,条宽和腔长分别为3和900μm,前后端面分别蒸镀5%的增透膜和95...
关键词：半导体激光器 AlGaInP可见光激光器 应变量子阱 
Tunnel Junction AlGaInP Light Emitting Diode
《Journal of Semiconductors》2002年第6期628-631,共4页王国宏 沈光地 郭霞 高国 韦欣 张广泽 马骁宇 李玉璋 陈良惠 
The n type GaAs substrates are used and their conductive type is changed to p type by tunnel junction for AlGaInP light emitting diodes(TJ LED),then n type GaP layer is used as current spreading layer.Because resi...
关键词：tunnel junction ALGAINP high brightness LED MOCVD 
微机电光开关被引量：2
《光学技术》2002年第1期85-88,共4页贾玉斌 陈良惠 李玉璋 叶晓军 康香宁 
对微机械光开关的特点和应用作了简要的论述 ,并对近年国外几种典型微机械光开关的结构、原理和研制方法作了简要的介绍和评述。这类新型的开关器件的主要优点是串话小 ,插入损耗小 ,消光比高 ,对波长和偏振不敏感 ,且体积小 ,造价低等 。
关键词：微光机电系统 微机械光开关 微反射镜 
Analysis and Design for a Micro Mechanical Optical Switch被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第7期837-840,共4页贾玉斌 陈良惠 李玉璋 
The mechanical and electric characteristics of a cantilever beam micro opto mechanical switch are studied theoretically,with which the dependence of the flexion on the applied voltage is derived,as well as the form...
关键词：MEMS optical switch cantilever beam threshold voltage 
ECR plasma CVD法淀积980 nm大功率半导体激光器端面光学膜技术被引量：2
《中国激光》1999年第9期811-814,共4页谭满清 茅冬生 陈良惠 李玉璋 
介绍了电子回旋共振等离子体化学气相沉积（简称ECRplasmmaCVD）法淀积980nm大功率半导体激光器两端面光学膜的工艺条件，探索了膜系监控的方法和优越性，讨论了这种淀积方法的优点和淀积的光学膜的优良特性。
关键词：ECRplasmaCVD 半导体激光器 介质光学膜 
AlGaInP高亮度发光二极管被引量：7
《液晶与显示》1999年第2期110-114,共5页李玉璋 王国宏 马骁宇 曹青 王树堂 陈良惠 
"八六三"项目
分析了ＡｌＧａＩｎＰ材料的特点和ＡｌＧａＩｎＰ高亮度发光二极管发光效率的决定因素，对目前国际上研究比较成熟的一些典型结构进行了综合分析，从理论上指出ＡｌＧａＩｎＰ发光二极管在橙黄波段的发光效率的最终决定因素是光的提取...
关键词：发光二极管 低压 有机金属 气相外延 铝镓铟磷 
决定AlGaInP高亮度发光二极管光提取效率的主要因素被引量：3
《光子学报》1998年第10期952-957,共6页王国宏 彭怀德 马骁宇 王树堂 李玉璋 陈良惠 
影响发光二极管光提取效率的主要因素有：出光表面状态、上电极和体内吸收．对于ＡｌＧａＩｎＰ高亮度发光二极管体内吸收主要是衬底和发光区的吸收．一般采用出光表面粗化、窗口层、ＤＢＲ反射器等措施来提高光提取效率．本文以自发辐...
关键词：ALGAINP 高亮度 发光二极管 光提取效率 
LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙黄色发光二极管被引量：8
《Journal of Semiconductors》1998年第9期712-714,共3页王国宏 马骁宇 曹青 张玉芳 王树堂 李玉璋 陈良惠 
国家"863"计划
利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＡｌＧａＩｎＰＤＨ结构橙黄色发光二极管．引入厚层Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ电流扩展层和Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ－ＡｌＡｓ分布布拉格反射器（ＤＢＲ）．２０ｍＡ工作条件下，工作电压１．９Ｖ，发光...
关键词：LP-MOCVD 外延生长 橙黄色 发光二极管 
AlGaInP橙色发光二极管的研制被引量：2
《半导体技术》1998年第4期10-12,共3页王国宏 马骁宇 王树堂 曹青 彭怀德 李玉璋 陈良惠 
利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＡｌＧａＩｎＰＤＨ橙色发光二极管，２０ｍＡ工作条件下发光波长峰值在６２８ｎｍ，ＦＷＨＭ为２６ｎｍ，１５°（２θ１／２）视角封装后亮度达到３１０ｍｃｄ；８０ｍＡ工作条件下亮度达到１０００ｍｃ...
关键词：LP-MOCVD 发光二极管 外延生长 
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