直接键合微腔结构的光谱特性  

Optical Properties of Direct Wafer Bonded Micro-Cavity Structures

作　　者：劳燕锋[1] 吴惠桢[1] 黄占超[1] 刘成[1] 曹萌[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期304-308,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:2003CB314903)

摘　　要：采用直接键合方法制备了法布里-珀罗共振微腔结构,并用传输矩阵方法对其反射光谱进行了理论模拟.通过构造键合界面两侧多层薄膜材料的光学厚度呈现指数规律变化的模型,分析了键合效应对微腔结构光学特性的影响.结果表明:在较低退火温度下(如580℃)进行直接键合有利于高光学性能微腔结构的制备,而提高退火温度则需要在键合结构中加入缺陷阻挡层以提高键合质量.

关 键 词：晶片直接键合 界面缺陷 反射光谱 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]