晶片直接键合

作品数：8被引量：20H指数：3
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相关作者：劳燕锋吴惠桢曹萌曹春芳龚谦更多>>
相关机构：中国科学院北京工业大学华中科技大学厦门大学更多>>
相关期刊：《物理学报》《半导体技术》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
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亚毫安阈值的1.3μm垂直腔面发射激光器被引量：4
《物理学报》2009年第3期1954-1958,共5页劳燕锋 曹春芳 吴惠桢 曹萌 龚谦 
国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2003CB314903)的资助课题~~
设计并研制了室温连续工作的单模1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL),阈值电流为0.51mA,最高连续工作温度达到82℃,斜率效率为0.29W/A.采用InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱作为有源增益区,由晶片直接键合技术融合InP基谐振腔和GaAs基GaAs/A...
关键词：垂直腔面发射激光器 晶片直接键合 应变补偿多量子阱 
键合方法研制InAsP/InGaAsP量子阱1.3μm垂直腔面发射激光器被引量：2
《Journal of Semiconductors》2008年第11期2286-2291,共6页劳燕锋 曹春芳 吴惠桢 曹萌 刘成 谢正生 龚谦 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2003CB314903)~~
设计并研制了由InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱有源层、SiO2/TiO2介质薄膜和GaAs/Al(Ga)As半导体分布布拉格反射镜(DBR)构成的垂直腔面发射激光器(VCSEL).采用直接键合技术实现InP基有源层与GaAs基DBR的晶片融合,并经过侧向湿法腐蚀定...
关键词：垂直腔面发射激光器 晶片直接键合 隧道结 
晶片直接键合所需表面粗糙度条件被引量：3
《Journal of Semiconductors》2007年第3期465-469,共5页马子文 汤自荣 廖广兰 史铁林 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2003CB716207);国家自然科学基金(批准号:50405033)资助项目
根据JKR接触理论,推导出晶片直接键合时晶片接触表面粗糙度需要满足的条件,其中晶片接触表面粗糙度的描述是基于缝隙长度和缝隙高度的正弦波模型.分析结果表明,晶片直接键合的条件与无量纲参数α有关.以硅片键合为例,根据参数α可以把...
关键词：直接键合 微观粗糙度 JKR接触理论 
基于亲水表面处理的GaAs/GaN晶片直接键合被引量：2
《Journal of Semiconductors》2006年第6期1042-1045,共4页王慧 郭霞 梁庭 刘诗文 高国 沈光地 
国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA311030);北京市教委重点项目(批准号:KZ200510005003);国家自然科学基金(批准号:60506012)资助项目~~
对晶片进行亲水表面处理,在氮气保护下500℃热处理10min,成功实现GaAs与GaN晶片的直接键合,键合质量较好.扫描电子显微镜观测结果表明,键合界面没有空洞.光致发光谱观测结果表明,键合工艺对晶体内部结构的影响很小.可见光透射谱测试结...
关键词：晶片直接键合 GAAS GAN 光电子集成 
直接键合微腔结构的光谱特性
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期304-308,共5页劳燕锋 吴惠桢 黄占超 刘成 曹萌 
国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:2003CB314903)
采用直接键合方法制备了法布里-珀罗共振微腔结构,并用传输矩阵方法对其反射光谱进行了理论模拟.通过构造键合界面两侧多层薄膜材料的光学厚度呈现指数规律变化的模型,分析了键合效应对微腔结构光学特性的影响.结果表明:在较低退火温度...
关键词：晶片直接键合 界面缺陷 反射光谱 
键合技术的研究进展及应用
《半导体技术》2005年第7期6-10,共5页王慧 沈光地 高国 梁庭 
晶片直接键合技术是材料集成的一项新工艺,是近年来集成光电子领域的研究热点之一。利用键合技术可以集成晶格或晶向失配的材料,制造传统外延生长技术不能制造的结构和器件。概括介绍了近年来Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料键合技术的最新研...
关键词：晶片直接键合 Ⅲ-Ⅴ族化合物 氮化镓 光电子集成 
直接键合InP-GaAs结构界面的特性研究被引量：8
《物理学报》2005年第9期4334-4339,共6页劳燕锋 吴惠桢 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2003CB314903)资助的课题.~~
通过对直接键合InPGaAs结构的红外吸收光谱分析以及断面扫描电子显微镜观察发现,样品制备过程中不均匀的外加压强导致InPGaAs交界面局部出现了不连续过渡的空间层,实验上将熔融石蜡渗透并被填充到该空间层,利用其对3.509μm波长光的强...
关键词：晶片直接键合 界面 红外吸收光谱 直接键合 交界面 特性研究 结构 不均匀分布 电子显微镜观察 不连续区域 制备过程 
化合物半导体晶片和器件键合技术进展被引量：1
《固体电子学研究与进展》2003年第3期366-371,共6页谢生 陈松岩 何国荣 
国家自然科学基金资助 (项目编号 :60 0 0 60 0 4)
半导体晶片直接键合技术已成为半导体工艺的一门重要技术 ,它对实现不同材料器件的准单片集成、光电子器件的性能改善和新型半导体器件的发展起了极大的推动作用。文中详细叙述了近十年来 - 族化合物半导体键合技术的主要实验方法 ,并...
关键词：晶片直接键合 键合机理 化合物半导体 界面特性 WDB 
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