汤自荣

作品数：13被引量：21H指数：3
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发文领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术理学更多>>
发文期刊：《微细加工技术》《激光技术》《Journal of Semiconductors》《半导体光电》更多>>
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基于低温直接键合的血细胞计数芯片结构制备
《功能材料与器件学报》2008年第6期1039-1043,共5页彭平 廖广兰 汤自荣 史铁林 林晓辉 刘世元 
国家重大基础研究项目(2003CB716207);国家自然科学基金资助项目(50775091);华中科技大学研究生科技创新基金项目(HF-05-24-2007-100)
研究了一种新颖的微流管道血细胞计数器的结构及其工作原理,采用流体动力学对其液体分层流动特性进行了仿真分析,结合图形制备和低温直接键合工艺制作了硅基微流体管道血细胞计数器结构,并采用红外透射方法对微流体管道结构进行了检测...
关键词：血细胞计数器 微流管道 低温直接键合 
基于UV光照的圆片直接键合技术被引量：2
《Journal of Semiconductors》2008年第7期1369-1372,共4页马沧海 廖广兰 史铁林 汤自荣 刘世元 聂磊 林晓辉 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2003CB716207);国家自然科学基金(批准号:50405033;50775091);新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-06-0639)资助项目~~
研究了UV辅助活化与湿化学清洗活化相结合的圆片直接键合技术,并利用红外测试系统、单轴拉伸测试仪和场发射扫描电子显微镜,结合恒温恒湿实验、高低温循环实验对键合质量进行了测试.结果表明,采用该技术可以实现较好的圆片直接键合,提...
关键词：圆片直接键合 紫外光照射 键合质量 可靠性 
圆片直接键合界面表面能测试研究
《半导体光电》2008年第3期379-382,共4页廖广兰 王美成 史铁林 史玉平 汤自荣 聂磊 
国家“973”计划资助项目(2003CB716207);国家自然科学基金资助项目(50405033,50775091)
基于裂纹传播扩散法,研究了键合圆片的表面能计算方法,推导出包括圆形、矩形、三角形等形状样品的平均表面能计算公式,并应用于硅片直接键合的表面能计算。应用实例表明,上述公式能方便地计算出键合圆片的平均表面能,实现对键合质量的...
关键词：圆片键合 界面 裂纹传播扩散 表面能 测试 
紫外光辐射在硅片表面活化键合中的应用被引量：1
《功能材料与器件学报》2008年第2期353-357,共5页林晓辉 史铁林 廖广兰 汤自荣 彭平 王海珊 
国家重大基础研究项目(No.2003CB716207);国家自然科学基金资助项目(No.50405033)
在硅圆片表面亲水活化键合工艺中引入了紫外光照射并对其工艺参数和效果进行了评估。基于基本键合流程,通过对比实验,研究紫外光照与否,以及照射时间长短对硅片键合质量的影响。同时利用红外检测仪,拉伸强度测试仪以及原子力显微镜分别...
关键词：表面活化 紫外辐射 表面粗糙度 承载率 
硅/玻璃紫外固化中间层键合被引量：3
《Journal of Semiconductors》2008年第1期179-182,共4页程文进 汤自荣 廖广兰 史铁林 林晓辉 彭平 
国家重大基础研究发展规划(批准号:2003CB716207);国家自然科学基金(批准号:50405033)资助项目~~
利用玻璃的透光特性和紫外固化的成熟技术,研究了一种使用紫外固化胶作为中间层的玻璃/硅室温键合工艺.通过选择一定波段的紫外固化胶,旋涂紫外胶后使用365nm光刻机作为紫外光源控制紫外固化,从而实现了硅/玻璃的中间层键合.分析测试结...
关键词：室温键合 中间层 紫外固化 
表面活化处理在激光局部键合中的应用被引量：1
《激光技术》2007年第5期476-478,共3页聂磊 史铁林 汤自荣 李晓平 马子文 
国家重大基础研究资助项目(2003CB716207);国家自然科学基金资助项目(50405033)
为了研究低热应力键合工艺,提出了一种将表面活化直接键合与激光局部键合相结合的键合技术。首先采用RCA溶液对键合片进行表面亲水活化处理,并在室温下成功地完成了预键合。然后在不使用任何夹具施加外力辅助的情况下,利用波长1064nm、...
关键词：激光技术 局部键合 表面活化 键合强度 
光刻结合热解制备高深宽比碳微结构的新方法
《微细加工技术》2007年第4期11-17,共7页汤自荣 姚园媛 史铁林 廖广兰 
国家重大基础研究项目973资助(2003CB716207)
将以光刻胶作为有机前驱物的热解成碳工艺与厚胶光刻工艺结合后,形成一种新的用于制备碳微结构的"C-MEMS(carbon-MEMS)"工艺,它流程简单、成本低、可重复性强且结构设计灵活。该工艺制备出的碳微结构具有较高深宽比(约为10∶1)、良好的...
关键词：厚胶光刻 热解 C-MEMS 高深宽比 微电极阵列 
激光键合的有限元仿真及工艺参数优化被引量：2
《Journal of Semiconductors》2007年第6期995-1000,共6页马子文 汤自荣 廖广兰 史铁林 聂磊 周平 
国家重大基础研究(批准号:2003CB716207);国家自然科学基金(批准号:50405033)资助项目~~
在硅/玻璃激光键合中,温度场的分布是影响晶片能否键合的关键因素.本文利用有限元法建立了移动高斯热源作用下硅/玻璃激光键合的三维温度场数值分析模型.运用该模型计算了不同的工艺参数条件下硅/玻璃的温度场分布,并由此得出键合线宽....
关键词：激光键合 有限元法 回归分析 键合线宽 
晶片直接键合所需表面粗糙度条件被引量：3
《Journal of Semiconductors》2007年第3期465-469,共5页马子文 汤自荣 廖广兰 史铁林 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2003CB716207);国家自然科学基金(批准号:50405033)资助项目
根据JKR接触理论,推导出晶片直接键合时晶片接触表面粗糙度需要满足的条件,其中晶片接触表面粗糙度的描述是基于缝隙长度和缝隙高度的正弦波模型.分析结果表明,晶片直接键合的条件与无量纲参数α有关.以硅片键合为例,根据参数α可以把...
关键词：直接键合 微观粗糙度 JKR接触理论 
无压力辅助硅/玻璃激光局部键合被引量：6
《Journal of Semiconductors》2007年第2期217-221,共5页马子文 汤自荣 廖广兰 史铁林 聂磊 
国家重大基础研究发展规划(批准号:2003CB716207);国家自然科学基金(批准号:50405033)资助项目~~
提出了一种新的无需外压力作用的硅/玻璃激光局部键合方法,通过对晶圆进行表面活化处理,选择合适的激光参数及加工环境,成功地实现了无压力辅助硅/玻璃激光键合.同时研究了该键合工艺参数如激光功率、激光扫描速度、底板材料等的影响....
关键词：MEMS 激光键合 表面活化 键合线宽 
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