云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 圆片键合

圆片键合: 作品数：12被引量：12H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：陈明祥聂磊史铁林刘胜廖广兰更多>>; 相关机构：华中科技大学中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))清华大学湖北工业大学更多>>; 相关期刊：《功能材料与器件学报》《半导体光电》《半导体技术》《湖北工业大学学报》更多>>; 相关基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>

低温非晶硅/金圆片键合技术(英文): 《纳米技术与精密工程》2013年第4期375-378,共4页刘米丰徐德辉熊斌王跃林; supported in part by the National S&T Major Project of China under Grant 2011ZX02507-003;in part by the Major State Basic Research Development Program of China(973 Program)under Grant 2011CB309501;in part by the National High-Tech R&D Program of China(863 Program)under Contract 2012AA040402~~; 本文研究了低温非晶硅/金圆片键合技术.具有不同金硅比的键合片在400℃键合温度和1 MPa键合压力下维持30 min,其键合成功区域均高于94%,平均剪切强度均大于10.1 MPa.键合强度测试结果表明键合成品率与金硅比大小无关,平均剪切强度在10～...; 关键词：圆片键合非晶硅金微结构分析键合质量

SUSSMicro Tec推出XBC300 Gen2-永久晶圆片键合、键合分离和清洗的新平台: 《电子工业专用设备》2012年第2期63-63,共1页; 全球知名的半导体行业及相关市场工艺解决方案提供商SUSSMicroTec，推出XBC300Gen2高产量加工制造平台，用于先进的三维工艺技术。新的键合设备可以用于200mm和300mm晶圆片的永久性晶圆键合、键合分离、清洗，以适应产品生产工艺的发展。; 关键词：圆片键合永久性平台清洗分离 300mm晶圆片 TEC 生产工艺

MEMS局部加热封装技术与应用被引量：3: 《半导体技术》2010年第11期1049-1053,共5页陈明祥刘文明刘胜; 国家自然科学基金项目(50875102);科技部"863计划"项目(2006AA04Z328); 随着半导体技术的发展,封装集成度不断提高,迫切需要发展一种低温封装与键合技术,满足热敏器件封装和热膨胀系数差较大的同质或异质材料间的键合需求。针对现有整体加热封装技术的不足,首先介绍了局部加热封装技术的原理与方法,然后对...; 关键词：局部加热微机电系统圆片键合电子封装系统封装

圆片直接键合界面表面能测试研究: 《半导体光电》2008年第3期379-382,共4页廖广兰王美成史铁林史玉平汤自荣聂磊; 国家“973”计划资助项目(2003CB716207);国家自然科学基金资助项目(50405033,50775091); 基于裂纹传播扩散法,研究了键合圆片的表面能计算方法,推导出包括圆形、矩形、三角形等形状样品的平均表面能计算公式,并应用于硅片直接键合的表面能计算。应用实例表明,上述公式能方便地计算出键合圆片的平均表面能,实现对键合质量的...; 关键词：圆片键合界面裂纹传播扩散表面能测试

一种基于Ag-Sn等温凝固的圆片键合技术被引量：2: 《电子工业专用设备》2007年第9期33-38,共6页李小刚蔡坚 YoonChulSohn QianWang WoonbaeKim; 研究了用Ag-Sn作为键合中间层的圆片健合。相对于成熟的Au-Sn键合系统(典型键合温度是280℃),该系统可以提供更低成本、更高键合后分离(De-Bonding)温度的圆片级键合方案。使用直径为100mm硅片,盖板硅片上溅射多层金属Ti/Ni/Sn/Au,利用L...; 关键词：等温凝固 Ag-Sn互扩散圆片键合

圆片键合强度测试方法分析被引量：1: 《半导体光电》2007年第1期64-67,共4页聂磊史铁林廖广兰汤自荣; 国家重大基础研究资助项目(2003CB716207);国家自然科学基金资助项目(50405033;50575078); 介绍了三种典型的圆片键合强度表现形式:抗拉强度、剪切强度和粘接强度。针对每种表现形式的特点,分析了相应的测试方法。抗拉和剪切强度以力为表征,主要的测试方法是一维直拉法,可测78.4 MPa强度以下的键合样件,但是测试样件制备要求...; 关键词：圆片级封装键合强度测试

感应加热硅衬底上的金膜用于圆片键合(英文): 《功能材料与器件学报》2006年第6期479-483,共5页陈明祥甘志银刘胜; High Technology Program of Science and Technology of China (No.2004AA404221); 选用垂直于其表面的射频磁场对镀金膜的硅片进行了感应加热,由于磁场对材料加热具有选择性,感应热量首先作用于硅片上的金膜内,硅片先被传导加热到一定温度,然后被感应加热。理论上分析了该方法的可行性,初步试验结果表明,虽然金膜厚度...; 关键词：圆片键合感应加热金-硅共晶微机电系统(MEMS)封装

玻璃中介硅圆片键合研究被引量：1: 《半导体技术》2006年第4期269-271,294,共4页聂磊史铁林廖广兰钟飞; 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2003CB716207);国家自然科学基金青年基金项目(50405033); 研究了玻璃中介圆片键合的方法。当采用低转化温度的玻璃粉末为中介玻璃层时,可在410℃实现强度较好的硅圆片键合,而如果将温度提高到430℃,键合强度可以达到4MPa。; 关键词：玻璃圆片键合键合强度

圆片键合工艺研究: 《湖北工业大学学报》2005年第5期72-74,共3页聂磊史铁林廖广兰钟飞; 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2003CB716207);国家自然科学基金青年基金项目(50405033); 将圆片键合的各种工艺分为3类:场助直接键合、表面活性键合、借助中介层键合.并对其适用环境和优缺点进行了分析,为圆片级键合的设计和应用提供思路.; 关键词：圆片键合工艺

多功能真空键合设备的研制被引量：1: 《机械与电子》2005年第6期32-34,共3页汪学方杨俊波张鸿海; 国家"八六三"高技术研究发展计划资助项目(2002AA404430;2004AA404221); 基于圆片键合技术,设计了一种在真空条件下进行圆片键合的工艺设备.在该设备的基础上,进行了阳极键合与金硅键合2种典型的键合试验,键合出来的样品结合强度高而且没有缺陷,验证了该设备的实用性.; 关键词：微机电系统圆片键合阳极键合金硅键合

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