玻璃中介硅圆片键合研究  

Si-Si Wafer Bonding with Glass Intermediate Layer

作　　者：聂磊[1] 史铁林[1] 廖广兰[1] 钟飞[2] 

机构地区：[1]华中科技大学微系统中心,武汉430074 [2]湖北工业大学,武汉430068

出　　处：《半导体技术》2006年第4期269-271,294,共4页Semiconductor Technology

基　　金：国家重点基础研究发展计划(973计划)(2003CB716207);国家自然科学基金青年基金项目(50405033)

摘　　要：研究了玻璃中介圆片键合的方法。当采用低转化温度的玻璃粉末为中介玻璃层时,可在410℃实现强度较好的硅圆片键合,而如果将温度提高到430℃,键合强度可以达到4MPa。By using glass intermediate layer, Si-Si wafer bonding is realized at 410℃. The main component of glass inter media is borate glass whose T is 430℃, And the strength of this kind of wafer bonding can exceed 4MPa,

关 键 词：玻璃 圆片键合 键合强度 

分 类 号：TN405.97[电子电信—微电子学与固体电子学]