马子文

作品数：5被引量：12H指数：2
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供职机构：华中科技大学机械科学与工程学院武汉光电国家实验室更多>>
发文主题：激光键合表面活化直接键合键合强度MEMS更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《半导体技术》《激光技术》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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表面活化处理在激光局部键合中的应用被引量：1
《激光技术》2007年第5期476-478,共3页聂磊 史铁林 汤自荣 李晓平 马子文 
国家重大基础研究资助项目(2003CB716207);国家自然科学基金资助项目(50405033)
为了研究低热应力键合工艺,提出了一种将表面活化直接键合与激光局部键合相结合的键合技术。首先采用RCA溶液对键合片进行表面亲水活化处理,并在室温下成功地完成了预键合。然后在不使用任何夹具施加外力辅助的情况下,利用波长1064nm、...
关键词：激光技术 局部键合 表面活化 键合强度 
激光键合的有限元仿真及工艺参数优化被引量：2
《Journal of Semiconductors》2007年第6期995-1000,共6页马子文 汤自荣 廖广兰 史铁林 聂磊 周平 
国家重大基础研究(批准号:2003CB716207);国家自然科学基金(批准号:50405033)资助项目~~
在硅/玻璃激光键合中,温度场的分布是影响晶片能否键合的关键因素.本文利用有限元法建立了移动高斯热源作用下硅/玻璃激光键合的三维温度场数值分析模型.运用该模型计算了不同的工艺参数条件下硅/玻璃的温度场分布,并由此得出键合线宽....
关键词：激光键合 有限元法 回归分析 键合线宽 
晶片直接键合所需表面粗糙度条件被引量：3
《Journal of Semiconductors》2007年第3期465-469,共5页马子文 汤自荣 廖广兰 史铁林 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2003CB716207);国家自然科学基金(批准号:50405033)资助项目
根据JKR接触理论,推导出晶片直接键合时晶片接触表面粗糙度需要满足的条件,其中晶片接触表面粗糙度的描述是基于缝隙长度和缝隙高度的正弦波模型.分析结果表明,晶片直接键合的条件与无量纲参数α有关.以硅片键合为例,根据参数α可以把...
关键词：直接键合 微观粗糙度 JKR接触理论 
无压力辅助硅/玻璃激光局部键合被引量：6
《Journal of Semiconductors》2007年第2期217-221,共5页马子文 汤自荣 廖广兰 史铁林 聂磊 
国家重大基础研究发展规划(批准号:2003CB716207);国家自然科学基金(批准号:50405033)资助项目~~
提出了一种新的无需外压力作用的硅/玻璃激光局部键合方法,通过对晶圆进行表面活化处理,选择合适的激光参数及加工环境,成功地实现了无压力辅助硅/玻璃激光键合.同时研究了该键合工艺参数如激光功率、激光扫描速度、底板材料等的影响....
关键词：MEMS 激光键合 表面活化 键合线宽 
表面翘曲度对晶圆直接键合的影响被引量：1
《半导体技术》2006年第10期729-732,共4页马子文 廖广兰 史铁林 汤自荣 聂磊 林晓辉 
国家重大基础研究项目(2003CB716207);国家自然科学基金资助项目(50405033)
根据薄板弯曲理论,推导出晶圆表面翘曲度及夹具形状影响晶圆直接键合的理论公式,很好地解释了晶圆材料性质及尺寸大小对直接键合的影响。利用理论公式比较了晶圆在外压力和无外压力作用下翘曲度对晶圆直接键合的不同影响,结果表明晶圆...
关键词：晶圆直接键合 翘曲度 弹性应变能 有限元 仿真 
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