厚胶光刻

作品数：16被引量：40H指数：4
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相关期刊：《清华大学学报（自然科学版）》《光学学报》《微细加工技术》《新技术新工艺》更多>>
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高精度AZ厚胶光刻及在微型射频同轴器制作中的应用被引量：2
《航空制造技术》2018年第9期26-31,共6页杜立群 李爰琪 齐磊杰 李晓军 朱和卿 赵雯 阮久福 
国家自然科学基金项目(51375077;51475245);大连理工大学创新团队项目(DUT16TD20)
基于正负胶结合的UV-LIGA技术在金属基底上制作了一种新型无源微型射频同轴传输器。针对制作过程中由于胶膜内部曝光剂量分布不均匀导致的正性厚胶AZ50XT光刻图形精度低的问题,在紫外光刻工艺的基础上,采用分次曝光显影的方法,制作了高...
关键词：正性光刻胶 尺寸精度 曝光剂量分布 紫外光刻 微射频同轴传输器 
接触接近式光刻机微力找平技术被引量：1
《电子工业专用设备》2016年第11期26-28,共3页李霖 周庆奎 
介绍了一种微力找平技术,该技术应用气缸及间隙找平机构,可满足厚胶光刻工艺要求。
关键词：光刻机 微力找平 厚胶光刻 
玻璃微流检测芯片厚胶光刻温度条件的平衡优化
《新技术新工艺》2016年第10期39-42,共4页李其昌 李兵伟 陈宏 李江 
采用正性光刻胶AZ 4620进行玻璃微流检测芯片的厚胶光刻制备,试验了各工艺阶段不同的温度参数条件对光刻胶浮雕面形、光刻胶与玻璃基质的粘附性、光刻胶在刻蚀液中的耐受时间、刻蚀速率和最大刻蚀深度等因素的影响。结果表明,软烘温度...
关键词：微流检测芯片 紫外厚胶光刻 温度平衡优化 
严格电磁场波导方法的三维厚胶光刻工艺仿真（英文）
《强激光与粒子束》2016年第6期8-12,共5页王禹欣 周再发 华杰 王飞 徐焕文 黄庆安 
supported by the Natural Science Foundation in Jiangsu Province(BK2012324)
无论是在微机电系统(MEMS)还是集成电路(IC)领域,SU-8厚胶光刻已经成为制造高深宽比结构的主流工艺。为了取代昂贵而耗时的光刻实验,一套能够良好预测显影形貌,从而为优化光刻制造提供有效帮助的光刻仿真软件就成为必要而有价值的工具...
关键词：光刻仿真 微机电系统 波导 光强分布 
硅晶圆上窄节距互连铜凸点被引量：2
《清华大学学报（自然科学版）》2014年第1期78-83,共6页刘子玉 蔡坚 王谦 程熙云 石璐璐 
国家科技重大专项(2011ZX02709)
为了满足日益减小的互连节距需求,该文研究了晶圆上窄节距铜凸点的成型技术。铜凸点成型主要包括溅射凸点下金属化层(under bump metallization,UBM)、厚胶光刻、电镀、去胶、刻蚀UBM等。通过研究甩胶、前烘、曝光、显影、后烘等技术参...
关键词：厚胶光刻 铜凸点 窄节距互连 
厚胶光刻蚀刻中的图形展宽分析与改善研究被引量：1
《光学仪器》2007年第6期74-80,共7页冀翔 杨国光 侯西云 刘晓旻 陈滟 田丰 
为了刻蚀出低损耗波导沟道,对光刻和反应离子束蚀刻(RIE)中影响展宽的工艺条件进行理论分析和实验实践,提出采用多次旋涂、消除芽孢、低温后烘和刻蚀、光学稳定等措施减小展宽,并对不能完全消除的展宽分析给出原因。实验结果表明展宽得...
关键词：光刻 芽孢 反应离子束刻蚀 温度效应 二次效应 
光刻结合热解制备高深宽比碳微结构的新方法
《微细加工技术》2007年第4期11-17,共7页汤自荣 姚园媛 史铁林 廖广兰 
国家重大基础研究项目973资助(2003CB716207)
将以光刻胶作为有机前驱物的热解成碳工艺与厚胶光刻工艺结合后,形成一种新的用于制备碳微结构的"C-MEMS(carbon-MEMS)"工艺,它流程简单、成本低、可重复性强且结构设计灵活。该工艺制备出的碳微结构具有较高深宽比(约为10∶1)、良好的...
关键词：厚胶光刻 热解 C-MEMS 高深宽比 微电极阵列 
厚胶光刻中曝光光强对光化学反应速率的影响被引量：2
《光电工程》2006年第5期36-40,共5页唐雄贵 郭永康 杜惊雷 温圣林 刘波 罗伯靓 董小春 
国家自然科学基金(60276018);中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室资助课题
针对用于厚层光刻的重氮萘醌类正性光刻胶,利用动力学模型,分析了光化学反应速率的影响因素;给出了光化学反应速率明显受光强变化的影响以致互易律失效的原因。对厚度24μm的光刻胶AZP4620在相同曝光量而光强分别为3.2mW/cm2和0.63mW/cm...
关键词：厚胶光刻 光化学反应 光强 动力学模型 
厚胶光刻非线性畸变的校正被引量：6
《光学学报》2006年第7期1032-1036,共5页唐雄贵 姚欣 高福华 温圣林 刘波 郭永康 杜惊雷 
国家自然科学基金(60276018);中国科学院光电所微细加工技术国家重点实验室资助课题
利用厚胶光刻技术制作大深度微结构元件是一种有效的途径,但厚胶光刻过程中的非线性畸变对光刻面形质量的严重影响限制了该技术的应用,基于此,提出了一种对掩模透射率函数进行校正的方法。分析空间像形成及其在光刻胶内传递、曝光、显...
关键词：物理光学 厚胶光刻 模拟退火算法 非线性畸变 校正 体积偏差 
用于微器件加工的AZ4620厚胶光刻工艺研究被引量：9
《半导体技术》2005年第7期34-38,共5页罗铂靓 杜惊雷 唐雄贵 杜春雷 刘世杰 郭永康 
国家自然科学基金资助项目(60276018;60376018;60376021)微细工加光学技术国家重点实验室基金资助项目(0F03001;0F03002)
对AE4620厚胶紫外光刻工艺进行了实验研究,探讨了其工艺特性及光刻胶层的刻蚀面形与各种工艺条件的关系,提出了刻蚀高深宽比、最佳浮雕面形所需的工艺条件。通过对光刻工艺过程的研究, 可为较好地控制正性光刻胶面形,制作微机械、微光...
关键词：光刻胶 前烘 曝光 显影 
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