化合物半导体晶片和器件键合技术进展  

Development of Compound Semic onductor Wafer and Device Bonding

作　　者：谢生[1] 陈松岩[1] 何国荣[1] 

机构地区：[1]厦门大学物理系,厦门361005

出　　处：《固体电子学研究与进展》2003年第3期366-371,共6页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金资助 (项目编号 :60 0 0 60 0 4)

摘　　要：半导体晶片直接键合技术已成为半导体工艺的一门重要技术 ,它对实现不同材料器件的准单片集成、光电子器件的性能改善和新型半导体器件的发展起了极大的推动作用。文中详细叙述了近十年来 - 族化合物半导体键合技术的主要实验方法 ,并对各种键合方法的优缺点进行了比较 ,结合自己的工作对化合物半导体的键合机理和界面特性做了总结 。Semiconductor wa f er direct bonding is a important techniq ue for integrating devices, improving th e performance of optoelectronic devices and making new devices. This paper prese nts the innovative wafer bonding methods of compound semiconductors, analyses th e advantages and disadvantages of variou s mehtods, then discusses the bonding me chanics and the generic nature of the in terfaces. Finally, examples of bonded de vices are presented.

关 键 词：晶片直接键合 键合机理 化合物半导体 界面特性 WDB 

分 类 号：TN305.93[电子电信—物理电子学]