Cu(In,Ga)3Se5薄膜的结构及其缺陷研究  

Ga and Film Microstructures of Quaternary Ordered Defect Compounds Cu ( In, Ga) 3Se5

作　　者：徐传明[1,3] 许小亮 谢家纯[3] 徐军[3] 杨晓杰[3] 冯叶[3] 黄文浩[1] 刘洪图 

机构地区：[1]中国科学技术大学精密机械与精密仪器系,合肥230027 [2]中国科学院中国科学技术大学结构分析重点实验室,合肥230026 [3]中国科学技术大学物理系,合肥230026

出　　处：《真空科学与技术学报》2006年第z1期53-56,70,共5页Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

基　　金：安徽省自然科学基金(No.0046506)

摘　　要：讨论了Ga含量对四元有序缺陷化合物Cu(In,Ga)3Se5薄膜结构的影响.Ga含量的增加引起晶格扭曲系数η近似按抛物线形式增加,而其晶格常数a与c呈线性减小趋势,同时(112),(220)/(204)等主衍射峰的位置和强度呈现显著的改变.而样品厚度的改变会导致薄膜中存在不同的内应力,最终对薄膜的结构产生了显著影响.

关 键 词：Cu(In Ga)3Se5 有序缺陷化合物 XRD 四方结构扭曲 

分 类 号：TN304.2+6[电子电信—物理电子学] O484.1[理学—固体物理] O472+.4[理学—物理]