冯叶

作品数：2被引量：2H指数：1
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供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
发文主题：GAXRDCURAMAN散射RAMAN更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
发文期刊：《真空科学与技术学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：安徽省自然科学基金更多>>
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Cu(In,Ga)3Se5薄膜的结构及其缺陷研究
《真空科学与技术学报》2006年第z1期53-56,70,共5页徐传明 许小亮 谢家纯 徐军 杨晓杰 冯叶 黄文浩 刘洪图 
安徽省自然科学基金(No.0046506)
讨论了Ga含量对四元有序缺陷化合物Cu(In,Ga)3Se5薄膜结构的影响.Ga含量的增加引起晶格扭曲系数η近似按抛物线形式增加,而其晶格常数a与c呈线性减小趋势,同时(112),(220)/(204)等主衍射峰的位置和强度呈现显著的改变.而样品厚度的改变...
关键词：Cu(In Ga)3Se5 有序缺陷化合物 XRD 四方结构扭曲 
Cu(In,Ga)_3Se_5薄膜结构的Raman研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》2004年第11期1423-1427,共5页徐传明 许小亮 徐军 杨晓杰 左健 党学明 冯叶 黄文浩 刘洪图 
安徽省自然科学基金资助项目 (批准号 :0 0 465 0 6)~~
讨论了 Ga含量对四元有序缺陷化合物 Cu(In,Ga) 3Se5薄膜的晶格振动模式的影响 ,室温下 Cu In3Se5与 Cu-Ga3Se5A1 模式峰位分别位于 15 3cm- 1 和 16 4 cm- 1 ,Ga含量的增加引起晶格扭曲系数以及阴离子 Se位移参数的增加 ,相应改变了 Cu...
关键词：Cu(In Ga)3Se5 有序缺陷化合物 晶格振动 RAMAN散射 
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