Cu(In,Ga)_3Se_5薄膜结构的Raman研究  

Effect of Structure on Raman Spectra in Cu(In,Ga)_3Se_5 Thin Films

作　　者：徐传明[1] 许小亮 徐军[3] 杨晓杰[3] 左健[2] 党学明[1] 冯叶[3] 黄文浩[1] 刘洪图[3] 

机构地区：[1]中国科学技术大学精密机械与精密仪器系,合肥230027 [2]中国科学院中国科学技术大学结构分析重点实验室,合肥230026 [3]中国科学技术大学物理系,合肥230026

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第11期1423-1427,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：安徽省自然科学基金资助项目 (批准号 :0 0 465 0 6)~~

摘　　要：讨论了 Ga含量对四元有序缺陷化合物 Cu(In,Ga) 3Se5薄膜的晶格振动模式的影响 ,室温下 Cu In3Se5与 Cu-Ga3Se5A1 模式峰位分别位于 15 3cm- 1 和 16 4 cm- 1 ,Ga含量的增加引起晶格扭曲系数以及阴离子 Se位移参数的增加 ,相应改变了 Cu- Se以及 In/ Ga- Se的键长及其键拉伸力学常数 ,从而影响了 A1The effect of Ga content on lattice vibration modes is discussed in the quaternary ordered defect compounds Cu(In,Ga) 3Se 5 thin films firstly.The frequency of A 1 mode for CuIn 3Se 5 and CuGa 3Se 5 at room temperature is around 153cm -1 and 164cm -1,respectively.The tetragonal distortion η and anion displacement parameter U will increase with inceasing of Ga content,resulting in both the bond length variation of Cu-Se,In/Ga-Se and variation of the bond-stretching force constants.Therefore,the A 1 mode shift in Raman spectra occurres.

关 键 词：Cu(In Ga)3Se5 有序缺陷化合物 晶格振动 RAMAN散射 

分 类 号：TN304.26[电子电信—物理电子学]