SiNx薄膜的制备、结构及其光学性能表征  

Microstructures and Optical Properties of SiNx Films

作　　者：辛煜[1,2] 鲁涛[1] 黄壮雄[2] 濮林[2] 施毅[2] 宁兆元[1] 郑有炓[2] 

机构地区：[1]苏州大学物理科学与技术学院,江苏省薄膜材料省重点实验室,215006 [2]南京大学物理系,南京210093

出　　处：《真空科学与技术学报》2005年第z1期36-38,42,共4页Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

基　　金：本课题部分获国家自然科学基金(No.10305008)资助

摘　　要：本文使用电子回旋共振等离子体化学气相沉积方法制备了非化学计量比的SiNx薄膜,使用红外光谱、拉曼光谱和紫外可见光谱等对SiNx薄膜的结构和光学性质进行了研究.结果表明,SiNx薄膜中随着Si:N原子比的增加,Si-N的红外伸缩振动从890cm-1波数向820 cm-1波数移动,拉曼光谱中出现了较明显的波数为480 cm-1的非晶硅的TO声子峰;实验发现,使用NH3作为前驱体所制备的膜中较N2具有更低的H含量;SiNx薄膜的光学带隙和折射率可以通过前驱体的流量比进行调制,实验结果表明光学带隙随着Si:N比率的增加而明显降低,从5.0 eV变化到2.5eV,而折射率则从1.9变化到2.2左右.

关 键 词：电子回旋共振等离子体 a-薄膜 红外光谱 光学性能 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]