用于微测辐射热计的氧化钒薄膜制备  

Growth of Vanadium Oxide Thin Films for Microbolometer

作　　者：王利霞[1] 李建平[1] 何秀丽[1] 高晓光[1] 

机构地区：[1]中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京,100080 中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京,100080 中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京,100080 中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京,100080

出　　处：《真空科学与技术学报》2005年第z1期51-53,56,共4页Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

摘　　要：采用射频(RF)反应溅射法,在微结构衬底上制备氧化钒薄膜,研究了氧气压、衬底温度、退火条件及薄膜厚度对薄膜电阻及电阻温度系数(TCR)的影响.在氮气保护下,采用常规退火和快速升降温退火对薄膜进行热处理.结果表明:氧分压、退火条件和薄膜厚度对电阻温度系数影响较大,需综合考虑;衬底温度对薄膜电阻的影响较大,但对电阻温度系数的影响较小;与常规退火方法相比,采用快速升降温退火有利于薄膜电阻温度系数的提高;通过优化工艺参数,制得的薄膜电阻温度系数可达(-4%/℃)左右,满足微测辐射热计的要求.

关 键 词：氧化钒 射频溅射法 电阻温度系数 

分 类 号：O484[理学—固体物理] TB43[理学—物理]