射频溅射氧化锌薄膜晶体结构和电学性质  

Structural and Electrical Properties of RF Magnetic Sputtered ZnO:Al(ZAO) Thin Films

作　　者：汲明亮[1] 李凤岩[1] 何青[1] 李伟[1] 孙云[1] 刘唯一[1] 徐传明[1] 周志强[1] 

机构地区：[1]南开大学光电所,天津,300071 南开大学光电所,天津,300071 南开大学光电所,天津,300071 南开大学光电所,天津,300071 南开大学光电所,天津,300071 南开大学光电所,天津,300071 南开大学光电所,天津,300071 南开大学光电所,天津,300071

出　　处：《真空科学与技术学报》2005年第z1期90-92,100,共4页Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

基　　金：国家863项目(No.2004AA513021)

摘　　要：利用射频磁控溅射ZnO:Al(3wt%)陶瓷靶材制备ZAO薄膜,利用X射线衍射仪和霍尔测试仪分析了不同衬底温度和工作压强对薄膜结构和电学性能的影响.结果表明,随工作压强的降低,薄膜(002)优先取向增强,迁移率逐渐增大,当工作压强为0.2 Pa、衬底温度为200℃时,薄膜的电阻率为1.4×10-3Ω·cm.

关 键 词：射频磁控溅射 ZAO薄膜 生长取向 电学性能 

分 类 号：O484[理学—固体物理]