SOI光波导和集成波导光开关矩阵  

Silicon-on-Insulator Based Optical Waveguide and Integrated Switch Matrix

作　　者：陈少武[1] 余金中[1] 刘敬伟[1] 王章涛[1] 夏金松[1] 樊中朝[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第z1期212-215,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312060)及国家重点基础研究发展规划(批准号:G20000366)资助项目

摘　　要：报道了基于SOI(silicon-on-insulator)材料的光波导和集成波导光开关矩阵的最新研究进展.给出了截面为梯形的脊波导的单模条件,设计制备了MMI(multimode interference)集成耦合器和基于Mach-Zehnder光波导干涉仪的热光型2×2光开关,开关转换速度达到了5～8μs,驱动功耗仅为140mW,是当前国际上同类型光开关中转换速度最快的.在此基础上制备成功了4×4波导光开关矩阵,并实现了光信号在不同信道间的转换.

关 键 词：光波导 SOI材料 单模条件 光开关/光开关矩阵 

分 类 号：TN256[电子电信—物理电子学]