SOI阵列波导光栅的设计与制作  

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作  者:方青[1] 邱海军[1] 李芳[1] 刘育梁[1] 

机构地区:[1]中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083

出  处:《光电子.激光》2004年第z1期218-220,共3页Journal of Optoelectronics·Laser

基  金:本项目得到国家自然科学基金项目(编号90104003)基金资助

摘  要:本文讲述了基于SOI材料的5×5阵列波导光栅(AWG)的设计与器件的制作.设计结果显示,通过选择合适的波导结构可以有效地减小器件的偏振特性;采用合适的弯曲半径,不但可以减小器件的损耗,而且可以降低器件的串扰.器件的测试结果表明,器件的中心波长、通道间隔与设计值基本相符;器件的相邻信导串扰接近10dB.器件初步达到分波的功能.

关 键 词:SOI材料 阵列波导光栅(AWG) 信道间隔 中心波长 相邻信道串扰 

分 类 号:TN2[电子电信—物理电子学]

 

参考文献:

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二级参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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