原子尺度控制全氧化物p-n结的制备和特性研究  

Fabrication and characterization of atomic-scale controlled oxide p-n junctions

作　　者：吕惠宾[1] 戴守愚[1] 陈正豪[1] 周岳亮[1] 金奎娟[1] 程波林[1] 何萌[1] 郭海中[1] 刘立峰[1] 黄延红[1] 杨国桢[1] 

机构地区：[1]中国科学院,物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京100080

出　　处：《功能材料》2004年第z1期485-488,共4页Journal of Functional Materials

基　　金：国家基金委重点基金资助项目(10334070);国家973专项资助项目(TG1998061412)

摘　　要：采用替位掺杂的方法,使用激光分子束外延技术,成功地制备出钛酸锶、钛酸钡、钛酸锶/钛酸钡、YBCO/钛酸锶和钛酸锶/锰酸镧等全氧化物p-n结.X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、高分辨透射电镜(HRTEM)等测量分析结果均表明,p-n结构的表面与界面均达到原子尺度的光滑,p-n结的I-V曲线显示了很好的整流特性.首次观测到全氧化物p-n结电流和电压的磁调制特性与正的巨磁电阻效应,在290 K和255 K条件下,外磁场变化5398A/m时,磁电阻的最大灵敏度分别达到85Ω/79.6 A·m-1和246Ω/79.6A·m-1;在一个多层p-n结构上,磁电阻的变化率△R/R0达到517%.

关 键 词：氧化物 P-N结 外延生长 正磁电阻 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理] O482.4[理学—物理]