郭海中

作品数：5被引量：5H指数：1
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供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文主题：电极氧化物高灵敏度禁带紫外光探测器更多>>
发文领域：理学一般工业技术电子电信环境科学与工程更多>>
发文期刊：《物理学进展》《功能材料》《物理》《功能材料信息》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划中国科学院知识创新工程国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
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Interfacial-Strain-Induced Structural and Polarization Evolutions in Epitaxial Multiferroic BiFeO_3(001) Thin Films被引量：1
《功能材料信息》2015年第3期19-27,共9页郭海中 Ruiqiang Zhao Kui-juan Jin Lin Gu Dongdong Xiao Zhenzhong Yang Xiaolong Li Le Wang Xu He Junxing Gu Qian Wan Can Wang Huibin Lu Chen Ge Meng He Guozhen Yang 
supported by the National Basic Research Program of China(Grant Nos.2012CB921403 and 2013CB328706);the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.10904030,11004238,11205235,11134012, 11404380,and 11474349);the Strategic Priority Research Program(B) of the Chinese Academy of Sciences(Grant No. XDB07030200)
Varying the film thickness is a precise route to tune the interfacial strain to manipulate the properties of the multiferroic materials.Here,to explore the effects of the interfacial strain on the properties of the mu...
关键词：功能材料 材料科学 材料 BFO 
钙钛矿氧化物异质结的研究进展(英文)
《物理学进展》2011年第3期137-144,共8页王聪 金奎娟 郭海中 吕惠宾 王灿 何萌 杨国桢 
support from the National Natural Science Foundation of China and the National Basic Research Program of China
在过去几年中,为了研究钙钛矿氧化物异质结的物性和潜在的应用前景,我们进行了许多探索。在本文中,我们总结了对钙钛矿氧化物异质结一些物理性质的理论描述,揭示了La0.9Sr0.1MnO3/SrNb0.01Ti0.99O3异质结中发现的正磁电阻效应和横向光...
关键词：钙钛矿氧化物异质结 正磁电阻 横向光电效应 界面 
钙钛矿氧化物异质结的光电特性研究进展被引量：1
《物理》2010年第8期522-530,共9页郭海中 陆珩 金奎娟 吕惠宾 何萌 王灿 杨国桢 
国家自然科学基金委员会国家杰出青年科学基金(批准号:10825418);国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB307005)资助项目
光与物质相互作用可以产生各种光学现象,其中光电效应是非常重要的现象之一.文中集中回顾了文章作者在钙钛矿氧化物异质结的光电效应研究中的进展.在钙钛矿氧化物异质结中,分别观测到了传统的纵向光电效应和反常的横向光电效应,并通过...
关键词：光与物质相互作用 光电效应 钙钛矿氧化物异质结 
原子尺度控制全氧化物p-n结的制备和特性研究
《功能材料》2004年第z1期485-488,共4页吕惠宾 戴守愚 陈正豪 周岳亮 金奎娟 程波林 何萌 郭海中 刘立峰 黄延红 杨国桢 
国家基金委重点基金资助项目(10334070);国家973专项资助项目(TG1998061412)
采用替位掺杂的方法,使用激光分子束外延技术,成功地制备出钛酸锶、钛酸钡、钛酸锶/钛酸钡、YBCO/钛酸锶和钛酸锶/锰酸镧等全氧化物p-n结.X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、高分辨透射电镜(HRTEM)等测量分析结果均表明,p-n结构的表...
关键词：氧化物 P-N结 外延生长 正磁电阻 
硅基集成电路的发展和新一代栅极氧化物材料的研究现状被引量：3
《物理》2003年第4期228-234,共7页相文峰 颜雷 谈国太 郭海中 刘丽峰 吕惠宾 周岳亮 陈正豪 
中国科学院创新工程北京物质科学基地择优项目
随着科学技术的进步和集成电路市场日益扩大的需求 ,硅基集成电路的集成度越来越高 ,而集成度的提高是以其核心器件金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)的特征尺寸逐渐减小为基础的 .当栅极SiO2 介电层的厚度减小到原子尺度大小时 ,...
关键词：硅基集成电路 发展 栅极氧化物材料 金属氧化物半导体场效应晶体管 栅极介电层 高介电常数 
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